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BJT 의 구조
BJT의 단면적을 살펴 보면 Collector의 부피가 상당히 크게 되어 있는 반면 Emitter의 부피는 상대적으로 작다. 하지만 Emitter 쪽은 불순물 농도는 매우 높게 도핑이 되어 있다. Base의 폭은 수 마이크로미터 정도로 매우 얇게 도핑 되어 있
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이 실험도 마찬가지로 이론치와 크게 차이가 나지 않는 결과값인 것을 알 수 있다. 또한 증폭도를 측정하여 보니 입력전압 0.82V 출력전압 15.6V로 19.02가 나온다는 것을 알 수 있었다.
결론적으로 보면 베이스 저항이 바뀐 이 회로의 동작점은 0.
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BJT_NPN type bias (BJT NPN 타입)
17. BJT_PNP type bias (BJT PNP 타입)
18. OPAMP limiter using zener diode (OPAMP 리미터)
19. TRANSISTOR AMPLIFIER (트랜지스터 증폭기)
20. BJT differential pair
21. Simple series regulator with a transistor (간단 직렬 조정기)
22. pulse width modulation ( PWM
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BJT 회로의 3가지 모드
BJT회로는 <그림 5-1>과 같이 접합 방법(PNP, NPN)에 따라 입력과 출력 전압이 어느 한쪽으로 향하게 공급되어야 한다. 이것을 바이어스(bias)라 한다. 여기서, 트랜지스터를 통작시키는 입력 전압 VBE가 바이어스 전압이다.
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pnp와 npn BJT를 cascode 형태로 연결하여 voltage buffer를 만든 것이다. small signal 측면에서 보면, 위 회로에서 출력저항이 두 BJT의 Emitter 쪽의 저항과 1k으로 설정한 저항의 병렬연결로 보인다. Emitter 쪽 저항이 매우 작으므로 이러한 병렬연결에 있어
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