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트랜지스터와 회로를 구성할 땐, 복잡한 계산이 필요하며 이것이 쉽지 않다는 것을 알 수 있다. 결과값과 결론이 이론과 같게 나온 실험이었다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사> 1. 실험의 목표
2. 기본
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트랜지스터의 특성을 나타내기 위한 상수를 표시하는 방법 중에서 가장 대표적인 것이다.
(3) NPN BJT 소신호 공통 이미터 증폭기 회로를 그려서 설명하고 전압이득, 입력
임피던스, 출력 임피던스를 구하시오.
- 전압이득
CE증폭기의 전압이득
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BJT의 고정 바이어스 회로
4. PNP형 BJT의 고정 바이어스 회로
5. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로
6. 바이어스 안정도
BJT의 와 는 온도에 비교적 민감하게 영향을 받으며, 트랜지스터에 따라 약간 씩 차이가 있다. -> 온도, 트랜지스터 특성변
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증폭기에 대한 전압증폭도 , 입력저항 출력저항 를 구하면, 아래와 같다.
FET의 특성과 트랜지스터 및 진공관 특성 비교
FET는 전계 효과 트랜지스터라 불리는 트랜지스터로써 BJT와 기본적인 증폭 및 스위칭동작은 유사하다. FET는 소스, 드레인,
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BJT의 고정 및 전압분배 바이어스
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 트랜지스터의 β 값을 계산하라. 또한, 회로의 schematic 및 VB, VE, IE, IC, VC, IB 를 확인하고 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라.
※ Transistor : Q2N3904
1. 고
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BJT모델을 추가하기 위해 각 소자의 Companion model을 구현한 후 간단한 회로에서 예상한 파형이 나오는지 확인하였습니다. Diode와 달리 트랜지스터가 포함된 회로는 동작점 계산이 먼저 수행이 되어야 하는데, 인위적으로 예측한 초깃값 행렬 연
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