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c-V 특성 곡선을 관찰한다.
4C-V 측정
1.샘플을 측정대에 고정시키고 probe로 게이트를 샘플에 접촉시킨다
2.BLP Folder (ENTER)
3.BASIC.EXE 실행 (ENTER)
4.F5(LOAD)을 실행 LOAD"PNCV"(ENTER)
5.F3(RUN)을 실행 INPUT FILE NAME? FILE name .dat (ENTER)
6.측정하고 싶은 값을 넣는
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C-V)을 측정함으로써 도핑농도를 알 수 있음을 의미한다.
도핑농도를 모르는 반도체를 취급해야 할 경우가 과연 있는가? 예를 들어 어떤 시편을 화학증착법(CVD)이나 분자빔 에피택시(molecular beamepitaxy)등으로 금방 성장시킨 경우도 이에 해당하
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C-V 측정 장비
모델명 4192A LF(5Hz∼13MHz) Impedance Analyzer로 C-V를 측정할 수 있는데, 이 장치의 전면부는 <그림30>과 같다.
<그림30> 4192A front panel features
3.4 C-V 측정으로 알 수 있는 parameter
한 번의 측정으로 여러 가지 parameter를 구할 수 있는
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측정한다.
Sensor Tube는 그 자체의 탄성계수와 Tube내의 유체의 질량에 따라 결정된 고유 주파수로 진동한다.
2)특징
- 직접질량유량계측
- 광범위한 유체 계측 가능
- 고정도, 고감도
- 온도, 압력, 점도의 허용범위가 넓다.
- 빠른 주파수 출
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c)
- 고속 : 3500rpm (35sec)
③ soft bake(PR curing)
- 80℃ 1min (∵ PR(resin + solvent) solvent의 증발 → PR의 고형화)
④ 노광공정(UV-exposure) - 8초
⑤ 현상(development)
⑥ hard bake
4) Pt sputter 공정
5) C-V 및 I-V 측정
4. 결과 및 고찰
1) C/V 그래프
2) I/V 그래프
1) C-V 그래
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