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공정을 사용하는 주된이유
전력소모가 적음 - 소자가 절연층에 둘러싸여 있으므로
■ BiCMOS 집적회로 제작(향상된성능)
CMOS공정에 바이폴라 트랜지스터를 추가 한 것이 BiCMOS 공정이다.(CMOS+바이폴라/바이폴라+CMOS)
바이폴라 트랜지스터를 사용
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처음으로 사용
1969년 처음으로 실리콘 게이트 MOS IC사용
1970년 처음으로 MOS를 사용한 계산기 chip이 발표
1977년 고성능 5V MOS 기술이 발표 반도체 제조 공정의 역사
현재 반도체 제조공정 수준
반도체 제작 공정
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CMOS LTPS Process and its Application to 2.2-inch QVGA Panel
http://www.jst.go.jp/EN
http://sciencelinks.jp/j-east/article/200603/000020060306A0011327.php
[coheren社_광학응용(레이저)관련 회사]
http://www.coherent.com
(자료)
http://www.coherent.com/Downloads/IMID_Korea_2004_17-4_SLS1Rev2.pdf
[삼성전
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CMOS 반도체상에 독립해 움직이는 밀러를 MEMS 공정을 이용 제작
빛을 조절하는 스위치
1인치 내외의 반도체
48~190만 마이크로 미러
16마이크론 미러(0.1hair) Digital LighProcessing(DLP)
DLP의 구조 및 동작원리
DLP 기술의 핵심 DMD
DMD의 구조
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공정을 사용한 상변화메모리 암호회로를 제작한 결과를 가지고 있다. 군마대학에서는 상변화 재료를 박막트랜지스터 채널에 이용한 단일트랜지스터형 상변화 메모리 셀 기술을 개발중에 있다. 또한 기업으로서는 유일하게 히타치 중앙연구
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