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CVD는 PVD보다 일반적으로 훨씬 고온의 환경을 요구한다.
먼저 PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링(Sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법(PLD, Pulse
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법
박막의 제조방법에는 음극 전해 성막법, 무전극 또는 무전기 성막법, 양극 산화법, CVD법 , 액상 에피탁시법, Langmuir-Blodgett 막 형성법, 흡착 방법이 있다
1-1)음극 전해 성막법
성막될 물질이 보통 금속일 경우,이 물질이 이온의 형태로 녹
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CVD
화학기상성장법 [化學氣相成長法, chemical vapor deposit
IC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 규소 등의 박막을 만드는 공업적 수법으로 약칭은 CVD이다. 화학물질을 포함하는 가스에 열이나 빛으로 에너지를 가하거나, 고주파로 플라스
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화학기상성장법 [化學氣相成長法, chemical vapor deposition
IC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 규소 등의 박막을 만드는 공업적 수법으로 약칭은 CVD이다. 화학물질을 포함하는 가스에 열이나 빛으로 에너지를 가하거나, 고주파로 플라스마
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CVD 공정에 비해 계단 피복성이 우수하며 박막 두께조절 뿐만 아니라 다성분계 박막에 있어서 조성 조절이 용이하다는 장점이 있다. [7]
3. 결론
박막 증착하는 방법에는 크게 물리 기상 증착법과 화학 기상 증착법, 그리고 분자 빔 결정법(Molecul
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