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FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
5. FRAM 커패시터로서 요구되는 강유전 박막의 물성
6. 대표적인 강유전 박막과 신소재의
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FRAM은 강유전체가 커패시터 역할을 한다는 점만 다를 뿐 그 구조와 동작 원리가 D램과 거의 동일하다. F램은 가장 먼저 시장에 상품으로 모습을 드러낸 차세대 메모리 반도체이다. 이미 지난 1995년 미국의 램트론사가 64Kb 제품을 처음 상용화하
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차세대 메모리 반도체는 DRAM과 플래시 램 분야 모두에서 큰 반향을 일으킬 것이 확실하다.
- 차세대 메모리의 종류
구분
PRAM
FRAM
MRAM
동작원리
특정 물질의 상변화
강유전체의 분극특성
전극의 자화 방향
장점
비휘발성, 고속, 고집적화
비휘발
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FRAM,PRAM,RRAM 등의 차세대메모리와 함께 비휘발성 메모리 소자로 유망하다고 볼 수 있다. 따라서 본 논문에서는 정보저장기기의 매우 중요한 분야인 자성을 이용한 기록/저장방식으로의 자기헤드기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM
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갖고 있다.
◇ 차세대 반도체의 동작원리
P램은 이름에서 알 수 있듯이 물질의 상태가 변하는 것을 이용해 데이터를 저장하는 방식으로 `결정' 또는 `비결정' 상태에 따라 `0'과 `1'을 표시한다. 이런 성질을 갖는 셀 물질에는 `게르마늄 안티몬
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