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MRAM (Magnetic Random Access Memory)
1. 자기기록기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM
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MRAM, PRAM은 플래시(flash memory)로부터 파생한 것이며, FeRAM은 DRAM으로부터 파생한 것으로 볼 수 있다.
FeRAM은 10년 이상 전부터 연구되고 있어 저소비 전력이라고 하는 점에서는 가장 뛰어나지만, 강유전체의 커패시터의 편차 문제로부터 대용량화
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MRAM, MRAM , PRAM 등이 꼽히고 있지만 아직까지 실용화를 위해 해결해야 할 난제가 남아 있다.이들 각 메모리들을 개별 동작원리 혹은 공정 ,구조적 측면에서 살펴보면 상변화 메모리의 특성이 상대적으로 매우 우수할 것으로 예측된다. 웃선적으
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MRAM의 개발에 힘이 쏠리고 있다. MRAM은 SRAM과 비슷한 빠른 기록/재생과 DRAM이상의 고밀도 기록이 가능하며 낮은 단가와 저전력이라는 장점이 있어서 FRAM,PRAM,RRAM 등의 차세대메모리와 함께 비휘발성 메모리 소자로 유망하다고 볼 수 있다. 따라
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PRAM, FRAM, MRAM 3종류로 크게 가닥이 잡혀가고 있다. 이들 세 종류의 메모리는 시제품 단계에서 그 가능성을 검중 받고 있다. 플래시 램과 같은 비휘발성 메모리이면서 램보다 최대 1000배 이상 빠른 속도를 보여주고 있다. 물론 플래시 램에 비해
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PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory)
1-4. FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposit
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