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메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학기술부 )
(7) 비휘발성 메모리 소자 기술 동향 (KIST 허운행)
9 1.서론
2. 상변화 기술이론
(2.1) 기본이론
(2.2) 상변화 기록 및 재생 원리
3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory)
(3.1
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메모리 기술
2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
(2) 최근의 기술 동향
2. FeRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
(2) 최근의 기술동향
3. PRAM기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
(2) 최근의 기술동향
III. 결 론
IV. 참고 자
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PRAM(Phase change Random Access Memory)
1. 상변화 기술이론
2. PRAM
3. 국내의 기술개발 현황
Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
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Memory ........................page. 1
1-1. Operation Theory of the Phase Change Memory .......page. 2
1-2. The most promising Memory - PRAM ..................page. 3
2. The features of the Phase Change Memory ..............page. 3
2-1. The advantages of the Phase Change Memory .........page.
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두 배로 증가하였는데, 이로 인해 기술과 제품개발에서 상당한 진전을 가져와 2005년 말에는 차세대 비휘발성 메모리로는 가장 용량이 큰 256Mb 시제품이 개발될 것으로 보인다. PRAM은 단기적으로는 휴대폰용 노아(NOR)형 플래시를 대체하는 것으
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비휘발성 메모리 분야의 새로운 강자로 떠오를 가능성이 크다고 할 수 있다.
Ⅳ. 참고문헌
Chen, Y. et al., "An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Dig
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MEMORY 영역을 자유롭게 READ/WRITE 할 수 있다. 1. 서론 -----------------
1.1. 동기 및 개요 -----------------
1.2. 목적 -----------------
1.3. 새로운 시스템 -----------------
2. 본론 -----------------
2.1 기본 원리 및 구성 -----------------
2.2 AVR의 특성 ---------------
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