|
및 재생 원리
3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory)
(3.1) .PRAM(Phase change RAM),
(3.2) .PRAM Basic Operation
(3.3) PRAM (Writing)
(3.4) PRAM READ
(3.5) Key Technology of PRAM
4.국내외 기술개발 현황
5.해외 차세대 반도체 정보
6.결론
7.참고 문헌
|
- 페이지 10페이지
- 가격 1,500원
- 등록일 2005.03.03
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
PRAM(Phase change Random Access Memory)
1. 상변화 기술이론
2. PRAM
3. 국내의 기술개발 현황
Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
5
|
- 페이지 39페이지
- 가격 900원
- 등록일 2005.12.22
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
이용해서 내용을 지울 수 있다.)
|
EEP-ROM (전자적 신호로 내용을 쓰고 지울 수 있다.)
- Flash Memory 라고도 한다.
- 컴퓨터 안의 BIOS가 이에 해당한다.
- 핸드폰, 디지털 카메라 등의 메모리가 이에 해당한다.
■ 차세대 메모리
PRAM (Phase Change R
|
- 페이지 14페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2007.05.03
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
차세대 메모리들은 메모리 반도체를 구성하는 기본단위를 이루는 물질에 따라서 종류가 구분된다. P(Phase Change) 램은 상변화를 일으키는 물질을 이용하여 메모리 반도체를 구성하는 것이며, F(Ferroelectric) 램은 강유전체 물질을 이용한 반도체,
|
- 페이지 6페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2012.03.13
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
합리적인 방향설정 및 적극적인 환경 친화적 기술개발이 이루어져야 할 것이다. <목차>
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 세부 기술분야
1. Phase-I PFC방출량 저감분야
2. Phase-II 유해chemical 저감 및 관리분야
Ⅲ. 향후 기술개발방향
Ⅳ. 결론
|
- 페이지 11페이지
- 가격 1,200원
- 등록일 2005.10.31
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|