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PRAM(Phase change Random Access Memory)
1. 상변화 기술이론
2. PRAM
3. 국내의 기술개발 현황
Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
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Memory ........................page. 1
1-1. Operation Theory of the Phase Change Memory .......page. 2
1-2. The most promising Memory - PRAM ..................page. 3
2. The features of the Phase Change Memory ..............page. 3
2-1. The advantages of the Phase Change Memory .........page.
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및 재생 원리
3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory)
(3.1) .PRAM(Phase change RAM),
(3.2) .PRAM Basic Operation
(3.3) PRAM (Writing)
(3.4) PRAM READ
(3.5) Key Technology of PRAM
4.국내외 기술개발 현황
5.해외 차세대 반도체 정보
6.결론
7.참고 문헌
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메모리 셀의 착안 등이 실현될 때 가능할 것으로 기대된다.
III. 결 론
지금까지 설명한 것과 같이 MRAM, PRAM은 플래시(flash memory)로부터 파생한 것이며, FeRAM은 DRAM으로부터 파생한 것으로 볼 수 있다.
FeRAM은 10년 이상 전부터 연구되고 있어 저소
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PRAM,RRAM 등의 차세대메모리와 함께 비휘발성 메모리 소자로 유망하다고 볼 수 있다. 따라서 본 논문에서는 정보저장기기의 매우 중요한 분야인 자성을 이용한 기록/저장방식으로의 자기헤드기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM소
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