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Change Memory ............................page. 1
1. About the Phase Change Memory ........................page. 1
1-1. Operation Theory of the Phase Change Memory .......page. 2
1-2. The most promising Memory - PRAM ..................page. 3
2. The features of the Phase Change Memory .......
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PRAM(Phase change Random Access Memory)
1. 상변화 기술이론
2. PRAM
3. 국내의 기술개발 현황
Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
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테라급 나노소자 사업단) 및 민간부분 (삼성전자)에서 각각 PRAM Feasibility 연구에 착수하였고 2003년에 삼성전자가 상용화 가능성이 높은 NMOS Transistor를 이용한 상변화 메모리 셀 실험시작품을 개발하여 발표 (Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop 2003
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Memory)
7. SRAM (Static Random Access Memory)
※ DRAM과 SRAM의 차이점
8. RAM의 발달과정
Ⅱ. ROM ( Read Only Memory)
1. ROM의 정의
2. ROM 구성
3. ROM별 특성
Ⅲ. 차세대 메모리
◆ 차세대 메모리의 종류
1. PRAM (Phase Change RAM)
2. FRAM (Ferroelectric RA
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PRAM, PCRAM 등)
2. PCRAM(phase-change memory) 이란 무엇인가?
(1) PCRAM의 기본원리
(2) PCRAM의 구조
(3)PCRAM의 동작원리
(4) Pcram의 재료
(5)공정
3. PRAM의 장/단점 및 문제해결방안
1) PRAM의 장점
2) PRAM의 단점
4. 각 기업별 앞으로의 PRAM 기술 개발 동향
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