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제어한다.
MESFET(Metal Semiconductor FET) : 게이트 부분이 금속 전극과 반도체에 집적 접합되어 있는 것이다. 1. 트랜지스터
2. FET
3. MOS-FET 구조
4. MOS-FET 종류
5. MOS-FET 동작원리
6. MOS-FET 정량적인 분석
7. 3D 트랜지스터
8. 마침
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MOS-FET 공통 소스 증폭기
실험 목적
[실험 장비 및 재료]
[기초이론]
(1) 증가형 MOS-FET
● 감소형과 증가형
(2) 공핍형 MOS-FET
(3) JFET의 바이어스
1) 자기 바이어스
2) 게이트-소스 전압
3) 자기 바이어스선
4) 소스 저항 효과
(4) 전압분
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e at the gate>
<그림15 linear region일때 MOS-FET의 단면>
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
스위치는 켜지고, drain 과 source 사이에 전류가 흐를 수 있는 channel이 형성된다. drain 전압이 문턱 전압 보다는 더 높기 때문에, channel의 부분은 off
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MOS-FET의 단면>
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
스위치는 켜지고, drain 과 source 사이에 전류가 흐를 수 있는 channel이 형성된다. drain 전압이 문턱 전압 보다는 더 높기 때문에, channel의 부분은 off 된다. 이것을 pinch-off라 한다. drain 전
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MOS-FET 두쌍중 어느 한 쌍을 통하여 4상한 쵸퍼의 출력으로 교번적으로 공급.
- 출력전압의 순시극성은 TR1, TR4가 on이면 +극성.
- MOS-FET TR2, TR3이 on이면 -의 극성.
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● MOS-FET
- Metal oxide semiconductor field effect transistor.
- 일반적으로는 전기적인 신호
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