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MRAM, PRAM은 플래시(flash memory)로부터 파생한 것이며, FeRAM은 DRAM으로부터 파생한 것으로 볼 수 있다.
FeRAM은 10년 이상 전부터 연구되고 있어 저소비 전력이라고 하는 점에서는 가장 뛰어나지만, 강유전체의 커패시터의 편차 문제로부터 대용량화
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MRAM의 실용화를 위해 해결해야 할 중요한 과제는 고집적화
- A회사는 메모리셀을 구성하는 소자 수를 절반으로 줄여 DRAM과 동등한 크기로 축소시킬 계획이며 이에 필요한 TMR의 Magnetic Ratio(MR비)를 40%까지 향상시키는 기술확보가 가능한 것으로
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MRAM의 장점과 단점
(1)장점
불휘발성 메모리로서 SRAM과 동등한 수준으로 고속 읽기/쓰기가 가능하며 DRAM과
같이 고집적화할 수 있는 새로운 메모리인 MRAM (Magnetic Random Access Memory)의 잠재능력이 시제품 제작으로 입증되면서 새로운 메모리로서
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MRAM의 개발에 힘이 쏠리고 있다. MRAM은 SRAM과 비슷한 빠른 기록/재생과 DRAM이상의 고밀도 기록이 가능하며 낮은 단가와 저전력이라는 장점이 있어서 FRAM,PRAM,RRAM 등의 차세대메모리와 함께 비휘발성 메모리 소자로 유망하다고 볼 수 있다. 따라
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MRAM(Magnetic Random Access Memory) 7
2. 가상현실, 증강현실, 메타버스 등의 응용에 사용하기 위한 입출력 장치 7
(가) 장치의 명칭, 장치의 용도 및 입출력 방식, 장치의 사진 또는 관련 그림 7
(나) QR코드 만들기 8
IV. 결론 8
V. 참고문헌 9 I. 과제
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MRAM (Magnetoresistive random access memory)
1-4. FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실
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