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바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
4. 바이어스 동작점의 안정성을 이해한다.
5. Current Mirror 회로의 동작점을 이해한다.
바이어스
증폭시키고 싶은 신호를 넣는 곳에 미리 일정한 직류전류를 흘려놓는 것
이미터(Emitter) : 불순물을 많이
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바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
3. 전압 분배기 바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
4. 바이어스 동작점의 안정성을 이해한다.
5. Current Mirror 회로의 동작점을 이해한다.
BJT(Bipolar Junction Transistor)의 기초
이미터(Emitter) : 불순물을
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회로를 안정시킬 필요가 있다.
3. 실험방법
① 아래의 회로를 구성한다.
② 접지에 대한 이미터 전위 를 측정한다. 이 회로에서 는 와 동일하다. 그러므로 ││=││이고, VBE≒0.6V, 는 접지에 대하여 음의 전위를 갖는다.
③ 측정된 를 사용하여
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회로로 입력된 정현파가 반전 되어 출력 되었는데 입력전압이 하강하면 출력전압이 상승하고 입력전압이 상승하면 출력전압이 하강하는 공통 이미터 회로의 특성 이다. 따라서 입력파형의 위상은 출력파형에서 180도 반전되어 나오게 된다.
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회로에서 컬렉터 포화전류 IC(sat)는 IC(sat)=(Vcc+|VEE|)/(RC+RE)=(15V+8V)/2kΩ=11.5mA을 가지게 된다.(2개의 다이오드 모두 순방향 바이어스되므로 VCE는0이다)
5. 그림 1의 회로에서 차단상태에 대한 컬렉터-이미터 전압은?
(a) 6V (b) 8V (c) 15V (d) 23V
⇒ 회로에
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[ERROR : 10731] 오류 발생. 1. 콜렉터 전류 IC 계산
2. 결과 및 고찰
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회로가 간단하다. 이 실험 또 한 비교 대상이 없기에 어떻다라고 결론 내릴 것이 없다. BJT 이미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스
1. 실험 결과 데이터
(1) ß의 결정
(2) 이미터 바이어스회로
(3) 콜렉터 궤환회로 (RE = 0Ω)
(4) 콜렉터
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이미터 바이어스회로에 대한 포화전류 ICsat를 계산하라.
(계산치) ICsat = 4.55mA
b. 그림 10-2의 콜렉터 궤환회로에 대한 포화전류 ICsat를 계산하라.
(계산치) ICsat = 6.75mA
c. 그림 10-3의 콜렉터 궤환회로에 대한 포화전류 ICsat를 계산하라.
(계산치) ICsa
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그로 인해 베이스-이미터 사이에 바이어스 전압이 생성된다. 이런 형태의 전류궤환 바이어스회로는 CR결합회로와 같이 가 큰 경우에 유용하다. 그리고 이러한 바이어스 회로를 사용하기 위해서는 바이어스 저항를 적당히 나누고, 그 사이에
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바이어스 실험과 전압분배기 바이어스 실험에서는 단순히 회로만 꾸며보고 그 특성을 살펴보았을 뿐 거기에 따른 트랜지스터별로 비교하거나 이런 실험을 하지 못하여서 크게 의미를 찾지 못하겠다. 단순히 살펴보자면 이렇게 꾸미면 특정
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