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논문 1건

[논문] ReRAM & 비휘발성 메모리
sputtering 한 후 시료의 두께가 대략 50nm 5nm가 되도록 증착하였다. 1-2. 전기적 특성 평가 (I-V) NiO 박막의 스위칭 특성을 보기 위해서 혼합가스의 산소비를 0%~6% 로 증착하였다. 이렇게 증착한 박막을 400~700℃ 각각 열처리를 한 후 I-V를 측정하였다.
ReRAM|비휘발성 메모리|memory|PRAM|PoRAM|MRAM|supper, ReRAM & 비휘발성 메모리,
  • 페이지 13페이지
  • 가격 2,000원
  • 발행일 2009.06.15
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
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