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산하는 방법을 사용한다. 양이온의 수가 많을수록 이온전류가 증가한다. 보통 torr에서 torr 정도에서 사용을 하고 있다.
※ Magnetron Sputtering에 대해 알아보자.
글로방전 스퍼터링 쳄버의 Ar 압력은 방전을 유지하기 위해서 ~torr로 높고, 평균 자
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Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
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Unbalanced Magnetron(UBM) Sputtering
1. UBM Sputtering
- UBM sputtering 장치는 Magnetron sputtering 장치를 개선 하여 내부 자석과 외부 자석의 자장의 세기를 다르게 설계한 장치이며, 자장이 내부와 외부 사이를 벗어나므로 전자가 기판의 표면 쪽으로 향
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sputtering 발생, cascade형성, gas atom과 불순물 포함
b) vacancy같은 점 결함이 표면 아래 형성되어 잔류 응력 증가, 전위 생성, void 생성
c) 기판에서 구성요소의 sputtering yield가 다양해져 non-stoichiometric 막을 형성한다.
d) 증착전에 기판 cleaning을 위해
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가능하고 효율이 높기 때문에 박막 광전지에 활용할 수 있는 물질에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 1. Sputtering
1-1. 용어
1-2. Sputtering
1-3. Plasma
1-4. Sputtering 원리 및 특징
1-5. Sputtering 장단점
1-6. Sputtering 종류
1-7. Sputtering M/C
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Sputtering된 입자가 잘 달라붙는가와 관련 있다는 결론을 얻었고 Sputtering법으로 박막을 제조 시 최대한 Substrate의 표면을 최대한 매끄럽게 polishing하는 것이 우수한 박막을 제조할 수 있는 방법임을 알 수 있다.
참고문헌
개날연 블로그
DC/RF Sputte
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3. 실험 방법
준비된 실리콘 웨이퍼를 로드락 챔버에 로딩
샘플 메인 쳄버에 로딩
주 공정챔버 :3x10-6torr 이하로 진공 분위기 만듬
MFC 밸브를 통해 working pressure 조절
RF power(전압)를 100W로 조절하여 Ar plasma 형성
체임버내에 주입되는 가스량
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참고문헌
● 네이버 지식 - 재료과학과 공학
● 한국 세라믹 학회지 1990년 27권 1호
● 한국 세라믹 학화지 2003년 40권 1호
● 물리학과 첨단세계 2005년 10월 ■ 박막 제조 공정
펌프종류
● Sputtering의 종류
PVD
CVD
유전체란
강유전체란
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Sputtering. I. Sputtering Yield of Amorphous and Polycrystalline Targets - P Sigmund - Physical Review, 1969 - APS
Electrical characterization of vapor-phase-grown single-crystal ZnO - Appl. Phys. Lett. 80, 1340 (2002); doi:10.1063/1.1452781
Single-Crystal Nanorings Formed by Epitaxial Self-Coilin
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Sputtering의 종류
① DC sputtering :
② RF sputtering
③ reactive sputtering
④ magnatron sputtering
○ RF sputtering
① Self bais :
● Hybrid and modified PVD Processes
․ Ion Platind 법
● PVD박막의 비교
● ARC PLASMA DEPOSITION
● CVD의 종류
■ 유전체의 범주
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