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Unbalanced Magnetron(UBM) Sputtering
1. UBM Sputtering
- UBM sputtering 장치는 Magnetron sputtering 장치를 개선 하여 내부 자석과 외부 자석의 자장의 세기를 다르게 설계한 장치이며, 자장이 내부와 외부 사이를 벗어나므로 전자가 기판의 표면 쪽으로 향
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sputtering속도의 다양성
① 이온 전류 밀도(그림 b) : 매우 급격히 증가하다가 Vs가 -100∼-500V 사이에서 0.6∼0.8mA/cm2에서 유지
② 보통의 magnetron - 증착된 atom 당 0.3∼0.4 이온의 이온 충돌 유속
③ unbalanced magnetron
a) 기판의 이온 전류 밀도가 15mA/cm2
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Sputtering)
3) 이온플레이팅(ion plating)
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Sputtering
2. http://www.iktm.com/
3. http://www.pvd-coatings.co.uk
4. http://www.msi-pse.com/magnetron_sputtering.htm
5. 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용한 TiB₂박막의 저온 증착 및 접착력 향상 기술에 관한 연구 이승훈, 서울대학교 대학원, 2006. 1. 박막
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sputtering과같이magnetron을이용하는sputteringetching이 비선택적 etching이며, ion가속에반응성gas(reactivegas)를사용하는RIE(reactiveion etching)는 선택적 etching이다.
이상과 같은 일반적인 etching 외에 etching을 사용하지 않고patterning하는경우가 있는데, 대표적
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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