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스퍼터링은 스퍼터링된 원자와 기체의 충돌이 많아 증착률이 낮고, 방전 전압이 수 kV로 높아야 하며, 때로는 방전이 불안정하다. 또한 전자가 양극의 박막과 충돌하여 온도를 상승시키며, 높은 압력에서 증착하므로 박막에 불순물이 들어갈
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증착의 요구 조건
4. PVD
4.1. PVD의 정의
4.2. PVD의 특성
4.3. 진공증착법
4.3.1. 진공증착법-열 증발 증착법(순수저항이용)
4.3.2. 진공증착법-열 증발 증착법(유도열이용)
4.3.3. 진공증착법-전자빔 증발 증착법
4.4. 스퍼터링- 음극스퍼터
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증착 속도는 약 50배 정도까지 향상될 수 있으며, 증착 압력도 1 mTorr까지 낮아질 수 있다.
전형적인 자장의 세기는 200 ∼ 500 G이다.
Fig. 14. Applied fields and electron motion in the planar magnetron
이 밖에도 chamber 벽과 기판으로부터 스퍼터링이 감소하고
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증착법을 이용한 TiB₂박막의 저온 증착 및 접착력 향상 기술에 관한 연구 이승훈, 서울대학교 대학원, 2006. 1. 박막 증착법의 원리에 따른 구분
2. 스퍼터링 방법 종류와 그에 대한 설명 및 비교
3. 박막의 특성평가 방법들의 종류와 그
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증착전에 기판 cleaning을 위해 고에너지 이온들이 자주 이용된다.
→ 이 때 결함을 발생시키는 과잉의 이온 충돌을 피해야 한다.
② low energy(500V이하) ion 충돌
a) adatom 이동도 증가
b) 약하게 흡수된 표면 원자 방출
c) sticking 계수 증가
d) nucleation
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스퍼터링의 원리이다.
NiO 박막을 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 의 비를 변화시키면서 Pt 기반위에 증착 시켰으며, 이때 RF 전력은 700W로 하였다. 가스 주입전의 스퍼터 챔버의 진공도는 torr 이하로, 에 대한 유량비를 각각 0%, 1%, 2%, 4% 그리
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