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산하는 방법을 사용한다. 양이온의 수가 많을수록 이온전류가 증가한다. 보통 torr에서 torr 정도에서 사용을 하고 있다.
※ Magnetron Sputtering에 대해 알아보자.
글로방전 스퍼터링 쳄버의 Ar 압력은 방전을 유지하기 위해서 ~torr로 높고, 평균 자
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스퍼터링의 장점은 이온 에너지와 이온 유속을 독립적으로
조절할 수 있어 생성된 막의 미세 구조와 관련된 공정 변수 사이의 관계를 보다 명확하게 알 수 있다는 것이다.
( 9 ) 반응성 스퍼터링
반응성 스퍼터링은 금속 target을 이용하여 스퍼
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스퍼터링
이 장치는 DC 스퍼터링 장치와 비슷하지만 cathode에는 영구 자석이 장착되어 target 표면과 평행한 방향으로 자장을 인가해 준다. 이러한 영구 자석이 장착되어 있는 target을 magnetron target이라고 한다.
DC 스퍼터링 장치에서 target에 이온
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스퍼터링
①Target(Ni, Cr, Cu)과 개질 처리된 기판(2), 개질 처리되지 않은 기판을 스퍼 터링 장치 안에 장착한다.
②1.2 X 10-5torr로 초기진공을 잡아준다.
③Ar 가스 주입 후 5.0 X 10-3tor로 증착 압력을 조절해 준다.
④증착 : presputtering 5분⇒ Cr or Ni증
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스퍼터링의 정의
▶ sputtering의 발생
▶ Sputtering의 장점
▶ 스퍼터링 공정
▶ 스퍼터링 코팅의 종류
▶ 스퍼터링의 응용
▶ 기체 방전
▶ Target 표면의 반응
▶Substrate 표면반응
▶ 스퍼터링 효율에 영항을 미치는 인자 : 이
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타겟 배면에 자석을 부착하여 전기장에 수직한 자기장을 형상함으로서 전자들의 운동을 타겟 주위로 구속하고 이동경로를 길게 함으로써 스퍼터링 효율을 높이는 것이 마그네트론 스퍼터링의 원리이다.
NiO 박막을 RF 마그네트론 스퍼터를
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