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Unbalanced Magnetron(UBM) Sputtering
1. UBM Sputtering
- UBM sputtering 장치는 Magnetron sputtering 장치를 개선 하여 내부 자석과 외부 자석의 자장의 세기를 다르게 설계한 장치이며, 자장이 내부와 외부 사이를 벗어나므로 전자가 기판의 표면 쪽으로 향
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sputtering속도의 다양성
① 이온 전류 밀도(그림 b) : 매우 급격히 증가하다가 Vs가 -100∼-500V 사이에서 0.6∼0.8mA/cm2에서 유지
② 보통의 magnetron - 증착된 atom 당 0.3∼0.4 이온의 이온 충돌 유속
③ unbalanced magnetron
a) 기판의 이온 전류 밀도가 15mA/cm2
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Sputtering)
3) 이온플레이팅(ion plating)
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한다. Unbalanced magnetron 스퍼터링 장치는 세 가지 기본 형태가 있다.
① Ⅰ 형 태 : 강한 내부 pole, 약한 외부 pole ⇒ 기판에 충돌하는 이온의 비율이 매우 낮다. (이온:증착원자=0.25:1).
② 중간 형태: 거의 균형, 보통의 magnetron
③ Ⅱ 형 태 : 약한 내
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