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플래시, FinFET등으로 식각공정이 미세화되고 NAND적층이 고도화됨에 따라 식각공정엔지니어의 역할이 커지고 있습니다. 저는 권오현 회장님의 ‘초격차’를 읽으면서 세계 1등을 차지하고 있으면서도 초격차를 유지하는 삼성에서 함께 일하고
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메모리 반도체의 성능 향상을 목표로 하는 여러 프로젝트에 참여했습니다. 특히, 저는 낸드 플래시 메모리의 데이터 전송 속도를 향상시키는 연구에 기여했습니다. 이 경험은 SK하이닉스가 지속적으로 혁신하고 있는 메모리 기술 분야와 직접
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플래시 등 메모리반도체를 중심으로 CIS와 같은 시스템반도체 등을 제조 공정하면서 저의 능력을 최대한 발휘하고 싶습니다. SK하이닉스는 1984년 국내 최초로 16Kb S램을 시험생산한 이래, 세계 최초,최대,최고속,최저전압의 혁신적인 반도체 제
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플래시, 모바일 D램, MCP(multi chip package) 및 시스템 반도체 등의 패키징 라인의 기술력을 발전시키고 국내 뿐만 아니라 글로벌 경쟁기반을 다지겠습니다. STS반도체통신은 메모리 제품이 90%을 넘을 만큼 메모리 제품에 편중돼 있던 사업 분야를
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플래시(NAND Flash)
- 플래시 메모리의 한 형태로 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장할 수 있으며 데이터를 자유롭게 저장·삭제할 수 있다. 저장단위인 셀을 수직으로 배열해 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있도록 돼 있어 대용량이 가
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플래시의 차이점은 무엇인가?
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pmic 전압이 떨어지는데 무슨 원인이라고 생각하는지?
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마진과 여러 메모리 특성을 주고 이때의 cross-point bit 수를 계산 할 수 있겠는가?
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우리 회사가 현재 차세대 메모리 개발로써 가고 있는 방향을 알고 있
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