반도체 제조 공정

소개글

반도체 제조 공정에 대한 보고서 자료입니다.

목차

■ 대분류
■ 소분류
■ 웨이퍼 제조(실리콘)
■ Epitaxy
■ Oxidation
■ Lithography
■ Etching
■ Deposition
■ Metallization
■ 마무리 공정 및 테스트

본문내용

너
지원으로 열 에너지가 많이 사용되는데 이런 경우를 열(thermal) CVD라고 한다. 또한 열
에너지 이외에 플라즈마나 빛 에너지도 사용되며, 이런 경우는 플라즈마(plasma) CVD 또
는 광(photo) CVD라고 한다.
1. 화학기상증착(CVD) 공정
■ Metallization
- 실리콘 웨이퍼 기판 위에 모든 소자 제작이 완료된 후에 이들을 상호 연결하여 회로 기능
을 갖도록 하는 기술을 금속화라 한다.
■ 마무리 공정 및 테스트
○합금 및 어닐링
- 웨이퍼 표면 위에 알루미늄으로 금속 배선막을 형성하는 금속화 공정 후에 소자 상호간의
완벽한 전기적 연결을 완벽하게 하기 위하여 합금 공정과 어닐링 공정을 한다
○ 웨이퍼 검사 및 웨이퍼 분류
- 회로의 기능을 확인하기 위하여 웨이퍼 검사를 한다.
- 집적회로의 크기가 작을수록 하나의 웨이퍼로부터 생산할 수 있는 다이의 수를 증가시키
며, 한 웨이퍼에서 동작하는 다이의 비율인 수율을 높인다.
○ 다이 분리
- 칩을 분리하는 공정을 웨이퍼 스크라이브 기술이라고 하며, 웨이퍼에서 분리된 칩은 일반
적으로 다이라고 부른다
○ 패키징 기술
- 페키징 기술은 실리코 웨이퍼에서 분리된 다이를 페키지안에 놓고 도선을 접착 시킨 후에
몰딩 화합물로 밀봉하는 공정을 통틀어 말한다.
○ 최종검사 및 수율
- 접착공정이나 패키징공정시에 생기는 손상 등을 검사한다.
- 웨이퍼상에 만들어진 칩들 중에는 웨이퍼나 마스크 공정상의 결함에 의하여 불량품이 되
기도 한다. 이러한 불량칩들을 제외한 나머지 칩 수를 전체 칩 수로 나눈 비울을 웨이퍼
수율이라고 한다

키워드

반도체,   실험,   웨이퍼,   공정,   Deposition,   예비