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deposition
Good economy and process control
A great variety of chemical compositions
High step coverage
Selective deposition
AdvantageS of CVD
Classification of CVD
Thermal(conventional) CVD
- Operating Temp. : 800 1200 ℃
- Mass Products
- High Purity Thin Film
- influenced by various fac
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D와 같은 화합물이 아닌 단원자 상태의 전구체를 사용해 박막을 형성하는 원차층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD)법을 이용한 성막 공정이 차세대 반도체 소자 제조 공정에 중요하게 적용되기 시작하였다. ALD 공정은 전구체가 기판표면에 흡착 후,
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Deposition rate vs. flow hysteresis behaviour for TiN, deposition at a target power of 10 kW in a mixed Ar-N2 discharge
·gas flow의 적은 증가 → 증착속도의 많은 감소 → target 앞에서의 반응성 종의 빠른 부분압 증가
·입력 전류와 전압을 조정하여 target의 power를 일정하
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rect=Log&logNo=10096589628
-http://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%8A%A4%ED%8D%BC%ED%84%B0
-http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=starhope61&logNo=120143912904
-글로방전 [─放電, glow discharge ] | 네이버 백과사전 1. CVD (Chemical Vapor Deposition)
2. Sputtering
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
<결론>
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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Deposition rate를 측정하여 확립하는 것이 중요합니다. 저는 기판에 10분 간 증착을 진행한 후, Alpha step을 이용해 두께를 측정한 뒤, 이를 플로팅하여 Rate를 구하려고 했습니다. 그런데 실제로 증착을 진행해 보니 두께가 점점 얇아지는 문제가 있
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deposition 기술이 어떻게 응용될 수 있는지를 실감하게 해주었습니다.
이러한 이론 기반 지식과 실습 중심의 경험은 설비기술 직무 수행에 필요한 공정 이해도, 트러블슈팅 능력, 협업 역량을 골고루 갖추는 데 도움이 되었고, 입사 후 빠르게
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Deposition 공정의 실전적 적용 경험"
종합설계 프로젝트인 ‘기포 제거 유체 소자 설계’를 위해선 다공성 막의 소수성 처리가 관건이었습니다. 팀원들과 silane을 다공성 막에 얇고 균일하게 입히기 위한 방안을 모색하던 중, 반도체 공정의 박
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