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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
<결론>
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MOS-C의 변수들은 x에 의해서 변하는 1차원적인 구조
3. Energy Band Diagram
4. Effect of an Applied Bias(P-MOS cap.)
5. Charge Distribution (dc bias + ac bias )
Accumulation
Depletion
Inversion (low frequency)
Inversion (high frequency)
6. Ideal C-V curve
7. Deep Depletion : DC bias와
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로
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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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라도 누군가를 돕기 위해 노력했습니다. 주변 사람들의 부탁을 쉽게 거절하지 못해 고민이 있는 경우에 함께 고민하고 해결하기 위해 도와줬을때에 더 편합니다. 앞으로의 계획은 cs 지도사 자격증과 CAP 등 조금 더 다양하고 그리고 심층적으
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