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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
<결론>
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Deposition)
5.1. LPCVD
5.2. PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
5.3. APCVD
6. 분자빔 결정법(MBE)
7. 박막 증착의 예
7.1. 실리콘 박막 트랜지스터(TFT)
8. PVD와 CVD의 차이 비교
9. 증착법의 실제 적용 분야
9.1. 증착법의 기술전망
10. 포
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피하고 있다.
3. 결론
기판에 증착된 박막의 두께는 0.34 이었다.
4. 참고문헌
‘현대물리학’ A.Beiser저, 정원모 번역.
‘고체전자공학’, Streetman, Ben G, 喜重堂, 1991.
전자재료실험 매뉴얼. 목적
이론
실험방법
결과및토론
결론
참고문헌
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반도체 전자 공학 - 이정한
반도체 (공정 및 측정) - 전자자료사 편집부
박막 프로세스의 기초 - 금원찬 외 공저
박막공학의 기초 - 최시영 외 공저
재료과학 - Barrett 외 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 방법
4. 실험 이론
5. 참
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deposition)
2.1.1 CVD의 기초
열역학에 의해 화학반응이 가능한지는 알 수 있다. 화학반응이 가능한 경우 자유에너지 변화(△G)가 작으면 핵생성 속도가 느려서 에피층을 성장시킬 수 있으나, 자유에너지 변화가 크면 핵 생성 속도가 커서 다결정
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6_Flexible Display (고려대학교 권재홍, 정진
욱, 이영훈, 이원희) 1. 서 론
2. 이 론
1) PDMS (Polydimethylsiloxane)
2) Nano Transfer Printing
3) Decal Tranfer Lithography (DTL)
4) ITO (Indium Tin Oxide)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
5. 결 론
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반도체, 조선, 자동차 등과 같이 대한민국의 성장 동력이 될 수 있도록 제도를 개선하고 시스템을 구축하는 일을 성공적으로 진행하여야 할 것이다. 정부와 한국전력공사, 전력거래소와 같은 시스템 운영자, 대학과 연구기관, 관련 산업체들
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반도체공학 연구자로서 학계나 연구기관에 진출하여 학문 발전과 산업 혁신을 동시에 추구할 계획입니다. 대학원에서 진행한 반도체 소자 및 공정 연구를 기반으로, 차세대 반도체 기술 개발에 집중하며 나노소자, 양자 컴퓨팅 소자, 3D 집적
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공학을 전공하면서 반도체 관련 최신 스마트폰 소프트웨어 기술과 동향을 분석하는 등 이론과 실험을 병행하며 기술적인 능력을 쌓았습니다. 일상에서 배운 반도체소자공학 과 같은 배운 것을 바탕으로 하이닉스에서 글로벌 세계에 참여하
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반도체 소자와 전력전자 컨버터 회로에 대해서 학습.
[마이크로콘트롤러설계/A+] AVR Atmega16을 이용한 설계.
[제어공학실험(2)/A+] 회로를 이해하고 분석할 수 있는 능력을 학습.
[선형시스템/A+] 현대제어이론의 기초가 되는 과정을 학습.
[전기전
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공학과에 입학하게 되었습니다. 학업을 해나가면서 실험시간을 특히 더 좋아했으며 전자공학과 반도체공학을 배우면서 그 분야로 진로를 결정하였습니다.
정보화시대에서 살아가면서 컴퓨터는 필수라는 생각에 네트워크 연구회라는 학과
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Deposition rate를 측정하여 확립하는 것이 중요합니다. 저는 기판에 10분 간 증착을 진행한 후, Alpha step을 이용해 두께를 측정한 뒤, 이를 플로팅하여 Rate를 구하려고 했습니다. 그런데 실제로 증착을 진행해 보니 두께가 점점 얇아지는 문제가 있
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