단결정 성장 공정
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목차

1.단결정 성장 공정

1) 반도체에 단결정을 사용하는 이유
2) 결정성장이란?
3) 결정 성장법의 종류 및 원리
4) 사용분야

본문내용

1.단결정 성장 공정






단결정
━━━━━━━━━─────────

● 단결정 정의: 원자가 규칙적으로 배열하여 하나의 결정을 이룬 것

 ≪ 그 림 ≫  ≪ 그 림 ≫

  단결정     다결정


● 사용이유

1. 전자가 단결정 내부에서 움직이기 쉽다
2. 특정한 방향으로 특정한 성질을 갖는다.
3. 개개의 원자는 일정한 전위(전압)을 지니고 있다.
⇒ 전기적 성질이 우수






결정 성장
━━━━━━━━━─────────

● 정 의
증기나 용액 · 융액과 같이 원자 · 분자가 무질서하게 움직이고
있는 상태에서 결정의 규칙적인 배열로 이행하는 과정

● 종 류
1. 용융액 성장 - Czochralski 법 , Floating Zone 법
2. 기상 성장 - 기상 Epitaxy 성장법
3. 용액 성장 - 수열법 , 온도 강하법 , 온도차법






인상법 (Czochralski method)
━━━━━━━━━─────────

 ≪ 그 림 ≫

종 류 : 1. Magnetic Czochralski (MCZ법)
2. Liquid Encapsulated czochralski(LEC법)
3. Swimming Crucible czochralski(SCC법)






대역 용융법(Floating Zone method)
━━━━━━━━━─────────

 ≪ 그 림 ≫

특징
1. 도가니의 부재
고순도의 단결정이 얻어짐
2. 고저항률 (300[Ω㎝]) 의
단결정을 얻을 수 있음

키워드

  • 가격1,500
  • 페이지수7페이지
  • 등록일2011.08.02
  • 저작시기2011.8
  • 파일형식파워포인트(ppt)
  • 자료번호#692691
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