목차
1. 설계목적
2. 설계결과
2-1. 전파 전압 체배회로 설계
2-2. 반파 전압 체배회로 설계
3. 토론주제
2. 설계결과
2-1. 전파 전압 체배회로 설계
2-2. 반파 전압 체배회로 설계
3. 토론주제
본문내용
부하저항값이 바뀜에 따라 시정수가 변하여 파형에 변화가 오는것이라 생각할 수 있다. 그리고 전체적인 DC전압도 감소했는데 이는 병렬로 부하를 달면, 저항이 400Ω에 가까워지기 때문에, 전압분배에 의해 상대적으로 5.6K일 때 보다 출력에 적은 전압이 걸리기 때문이다. C1을 제거한 회로에서 제거된 C1 때문에 출력파형이 2배로 증가하지 않을것이라 예상했는데 입력전압의 거의 2배인 출력전압을 확인할 수 있었다. 이는 더 공부를 해봐야겠지만 음의 반주기 동안 C2가 충전되고, 양의 반주기동안 교류전압의 양의값 + C2의 충전값에 의한 결과라 생각된다.
2-2. 반파 전압 체배회로 설계
2-2-1. 회로구성
무부하
부하 500Ω
C1 Short, D1제거 무부하
C1 Short, D1제거 부하 500Ω
반파 전압 체배회로를 구성한 회로이다. 각각 왼쪽은 무부하, 오른쪽은 부하저항 500Ω을 추가한 회로이다. 부하저항 500Ω은 1kΩ 2개를 병렬연결 하여 5.6kΩ과 병렬연결 하였다. 위에 보이는 사진 중 아래 2개의 회로는 커패시터 C1을 단락시켰으며, 다이오드 D1을 제거한 실험이다. 앞선 전파 전압 체배회로 실험과 마찬가지로 슬라이닥스를 이용한 실험이기에 조심스럽게 진행하였고, 소자 변경시 항상 슬라이닥스를 끄고 진행하였다.
2-2-2. 결과분석
단자
무부하
DC V [V]
리플
파형
[V]
A-G
0.8
P-G
0.4
M-G
19.0
단자
부하(500 Ω)
DC V [V]
리플
파형
[V]
A-G
2.8
P-G
1.0
M-G
15.8
단자
무부하
DC V [V]
리플
파형
[V]
A-G
0.4
P-G
0.4
M-G
19.6
단자
부하(500 Ω)
DC V [V]
리플
파형
[V]
A-G
2.0
P-G
0.6
M-G
19.4
2-2-3. 고찰
☞ 교류 전압의 파형이 음일 때 D2가 도통되며 커패시터 C1에서 충전이 일어나게 된다. 다시 양이 입력됨과 동시에 원래 충전되어 있던 C1의 전압과 합쳐져 2배가 되며, 다이오드 D1이 도통되므로 커패시터 C2에 교류 입력전압의 2배가 충전이 되게 되는 구조이다. 반파 주기 동안 다이오드 D1이 도통되므로 앞선 전파실험에 비해 주기가 길지만 동일한 결과를 얻을 수 있을 것이다. 추가로 출력에 부하를 추가로 걸어 줄 경우에는 부하가 없을 때에 비해 저항이 작아지므로 출력전압 또한 작아 질 것이다. 회로 구성에서 C1을 제거할 시, 전압은 커패시터 C2만이 충전하며 이를 바로 출력으로 보내기 때문에 체배회로의 역할을 하지 못하게 되는 것을 확인할 수 있었다.
3. 토론주제
-실생활에서 교류신호를 체배하여 사용하는 예를 들고 사용되는 회로를 설명하시오.
실생활에서 예로는 고압발생을 목적으로 하는 차지펌프가 있다. 전압 체배기 회로의 동작원리는 위의 그림처럼 순차적으로 전압이 증가된다. 전압 체배는 변압기의 정격 입력 전압을 증가시키지 않고 정류된 첨두 전압을 증가시키게 된다. 즉 트랜스 단자 전압을 너무 높지 않게 하고 고압을 발생시키는 방법인 회로이다.
2-2. 반파 전압 체배회로 설계
2-2-1. 회로구성
무부하
부하 500Ω
C1 Short, D1제거 무부하
C1 Short, D1제거 부하 500Ω
반파 전압 체배회로를 구성한 회로이다. 각각 왼쪽은 무부하, 오른쪽은 부하저항 500Ω을 추가한 회로이다. 부하저항 500Ω은 1kΩ 2개를 병렬연결 하여 5.6kΩ과 병렬연결 하였다. 위에 보이는 사진 중 아래 2개의 회로는 커패시터 C1을 단락시켰으며, 다이오드 D1을 제거한 실험이다. 앞선 전파 전압 체배회로 실험과 마찬가지로 슬라이닥스를 이용한 실험이기에 조심스럽게 진행하였고, 소자 변경시 항상 슬라이닥스를 끄고 진행하였다.
2-2-2. 결과분석
단자
무부하
DC V [V]
리플
파형
[V]
A-G
0.8
P-G
0.4
M-G
19.0
단자
부하(500 Ω)
DC V [V]
리플
파형
[V]
A-G
2.8
P-G
1.0
M-G
15.8
단자
무부하
DC V [V]
리플
파형
[V]
A-G
0.4
P-G
0.4
M-G
19.6
단자
부하(500 Ω)
DC V [V]
리플
파형
[V]
A-G
2.0
P-G
0.6
M-G
19.4
2-2-3. 고찰
☞ 교류 전압의 파형이 음일 때 D2가 도통되며 커패시터 C1에서 충전이 일어나게 된다. 다시 양이 입력됨과 동시에 원래 충전되어 있던 C1의 전압과 합쳐져 2배가 되며, 다이오드 D1이 도통되므로 커패시터 C2에 교류 입력전압의 2배가 충전이 되게 되는 구조이다. 반파 주기 동안 다이오드 D1이 도통되므로 앞선 전파실험에 비해 주기가 길지만 동일한 결과를 얻을 수 있을 것이다. 추가로 출력에 부하를 추가로 걸어 줄 경우에는 부하가 없을 때에 비해 저항이 작아지므로 출력전압 또한 작아 질 것이다. 회로 구성에서 C1을 제거할 시, 전압은 커패시터 C2만이 충전하며 이를 바로 출력으로 보내기 때문에 체배회로의 역할을 하지 못하게 되는 것을 확인할 수 있었다.
3. 토론주제
-실생활에서 교류신호를 체배하여 사용하는 예를 들고 사용되는 회로를 설명하시오.
실생활에서 예로는 고압발생을 목적으로 하는 차지펌프가 있다. 전압 체배기 회로의 동작원리는 위의 그림처럼 순차적으로 전압이 증가된다. 전압 체배는 변압기의 정격 입력 전압을 증가시키지 않고 정류된 첨두 전압을 증가시키게 된다. 즉 트랜스 단자 전압을 너무 높지 않게 하고 고압을 발생시키는 방법인 회로이다.
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