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바이어스를 인가하여야 제대로 측정이 된다. < JFET 특성 >
1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론개요
4. 실험순서
5. 실험 결론
6. 토의 및 고찰
< JFET 바이어스 회로 >
1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론개요
4. 실험 결론
5. 토의 및 고찰
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실험 종합
이번 실험은 CMOS 회로의 전기적 특성을 알아보는 시간이었다. 3년 만에 만지는 오실로스코프에 긴장하기도 하였지만, 예비보고서를 준비할 때 오실로스코프에 대한 조사를 하고가니 한결 쉽게 해결 할 수 있었다. 실험1번에서 미세
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수 있었다. 실험 중 초반에 트랜지스터의 핀 배치도를 몰라 헤맸었는데, 미리 숙지하고 실험을 하면 더 빠르게 실험을 할 수 있었을 것이다. 동작 영역에 관련된 실험에서는 예상했던 결과와 거의 비슷한 결과값을 얻어서 실험을 순조롭게 진
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실험에서는 에 따른 를 확인하였습니다. 실험 결과로는 가 증가됨에 따라 의 값도 조금씩 증가하는 것으로 이론과 유사한 결과를 확인할 수 있었습니다. 또한 순방향에서의 Early 전압인 VAF를 식 을 이용하여 구할 수 있었습니다.
세 번째 실험
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오른쪽에서 0V부터 시작하여, 왼쪽으로 갈 수록 VAK가 음의 크기로 커진다.
전압과 전류가 비례하는 그래프에서 역방향 다이오드가 일정 크기의 저항으로 작용하고 있음을 알 수 있다. ① 다이오드의 바이어스 인가
② 전압-전류 특성
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직선과 비슷한 모습을 나타낸다.
3) 포화가 되는 전압은?
- 실험값 내에서는 정확한 포화전압을 알 수 없지만, 그래프의 양상으로 대략 150[V]정도에서 포화되리라 예상할 수 있다. 1. 실험 결과
2. 연구 검토 및 결과
3. 결론
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특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향 바이어스회로에서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이를 알아봄으로써 Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 역방향에서 저항값이 충분히 커
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결과
※ 그림 7-2의 IC 결과
※ 그림 7-3의 회로도
※ 그림 7-3의 VCE 결과
※ 그림 7-3의 IC 결과
※ 그림 7-4의 회로도
※ 그림 7-4의 VCE 결과
※ 그림 7-4의 IC 결과
5. 데이터 시트
※이번에 사용한 소자는 트랜지스터 2N3904입니다.
6. 실제 실험 결과
파
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1. 실험 제목 : BJT의 특성 및 bias
2. 실험 목적 : 자유전자와 정공을 동시에 이용하는 트랜지스터를 이해하고 트랜지스터 npn/pnp형의 특성을 실험을 통해 알아본다. 또한 트랜지스터의 동작을 확인해본다.
3. 준비물
전원 : 1.5v, 6v dc전원 (2채널 DC p
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특성곡선
트랜지스터의 베이스-에미터 다이오드 사이에 다이오드처럼 특성곡선이 있을 수 있다.
그림 5의 특성곡선을 얻기 위해서는 먼저 , 시켜서 얻을 수 있다.
그림 5에서 베이스에 흐르는 전류 는
이식에서 이다.
(4) 컴퓨터 실습
모의실험
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