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결과해석
트랜지스터의 Vce가 증가할수록 Ic와 전류증폭률이 증가하는 것을 알 수 있으며, Ib가 증가하면 Ic는 증가하나 전류증폭률이 감소하는 것을 볼 수 있다.
4. 결과논의 및 토의
이 실험을 하면서 몇 가지 어려운 점이 있었는데 첫 번째는
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실험 결과는 대체적으로 앞선 실험 결과와 유사한 경향성을 보인다. 그러나 눈여겨볼 결과는 차단 주파수 이상의 입력에 대해서 2차 저역통과 필터는 훨씬 더 효과적으로 고주파 입력을 차단한다는 것이다. 1차 저역통과 필터의 특성 곡선과
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실험실에 가는 등 웃지 못할 에피소드도 등장했다. 이렇게 다시 실험실에 도착했을 때는 전분시료는 액체라고 부르기 상당히 난해할 정도로 많이 굳어있었고 결국 시료가 만들어진지 20분 정도 지난 후 프로그램을 작동시킨 결과를 낳게됐다.
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동작시키기 위해서는 적절한 바이어스(bias) 배열이 필요함
Base-Emitter(BE) 접합은 순방향으로 바이어스 시킴
Base-Collector(BC) 접합은 역방향으로 바이어스 시킴 트랜지스터의 구조
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터 특성과 파라미터
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결과를 분석하는 과정을 포함합니다. 실험조사설계는 다양한 형태가 있으며, 이 논문에서는 순수실험설계, 유사실험설계, 그리고 전실험설계에 대해 비교 설명하고자 합니다.
실험조사설계의 특성:
실험조사설계는 과학적 연구를 수행하
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진행시키면서 결과를 얻음.
Example 1
Example 2
Reference
1. http://www.cea.com/cai/augtheo/spectro.htm
2. http://spintronics.inha.ac.kr
3. Physical Metallurgy Principles - Reed-Hill 1. 다이오드(diode)
2. 트랜지스터의 정의 및 원리
결과 리포트
측정 장비에 대한 조사
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실험 / 대한전자공학회 / 2006년 / 공학사 / 실험31. OP Amp 특성 실험
6. 시뮬레이션
실험 책 page 117 에 그림 8.4
을 구하기 위한 회로 을 구하기 위한 회로 1.실험목적
2.이론
3.사용기기 및 부품
4.실험
5.참고자료
6.시뮬레이션
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특성은 위의 실험 결과에서 제시하였다. N-MOS만을 이용하여 구성되긴 하였지만 우리가 예상한 Invertor와 마찬가지로 5V가 입력되었을 때는 0V가 출력되고, 0V가 입력되었을 때는 5V가 출력되는 결과를 얻을 수 있었다. 1. 실험제목……………
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실험목적
D iode를 이용하여 Half-wave Rectifier와 Full-wave Rectifier를 설계해 보고 그 특성에 대해 알아본다.
3. 실험장치
- Diode
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
- Breadboard, Jumping wire
- 저항, 캐패시터
4. 실험결과
실험 1. H
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실험목적
Didoe를 이용한 Basic Circuit을 설계 해 보고 그를 통해 Diode의 특성에 대해 알아본다.
3. 실험장치
- Diode
- Function generator, Oscilloscope, Power Supply
- Breadboard, Jumping wire
- OP-amp
- 저항, 캐패시터
4. 실험결과
1) 사전 보
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