|
트랜지스터가 차단상태에 있다고 한다. 특별히 디지털 회로를 제외하고는, 트랜지스터는 차단 영역에서 정상적으로 작동하지 않는다. 여기까지 보면 이미터 접지 회로의 출력 특성과는 차이가 있다는 것을 관찰 할 수 있다.
실험 4) Part Browser
|
|
|
트랜지스터의 제조사에 따라 실제 증폭율과 차이를 보일 수 있음)
그림 4-4
Schematic
Vo
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응
|
|
|
실험을 하게 된 의미를 배우게 되었다. 이 4가지 회로중에 가장 열안정도가 높 다는것을 알게되었고, 증폭회로에서 가장 중요한 문제이다. 세 번째 네 번째 회 로가 가장 높은 열안정을 가졌고, 따라서 이 트랜지스터는 넓은 범위의 온도에 서
|
|
|
특성 변화를 확인하라.
증폭기 특성
귀환 없음
42dB
50㎐
1.2㎒
32㏀
750Ω
귀환 있음
20dB
11.83㎐
6.16㎑
37.46㏀
126.6Ω
4. 실험 8과 9에서 전원 전압의 변화나 소자 대치에 대해서도 전압 이득의 변화가 적은 관측 결과를 부귀환 작용으로 간단히 설명
|
|
|
① 전압이득
∴
② 바이폴라 캐패시터 C가 개방되었을 때의 전압이득
∴
11. 그림 7-13의 에미터 공통 교류증폭기에 대해 다음의 교류량을 구하라.
①
②
③ 실험일자
실험자
실험목적
실험기기 및 부품
실험방법
실험결과
|
|
|
트랜지스터의 동작 영역에는 활성영역, 포화영역, 차단영역이 있고 활성 영역에서의 트랜지스터는 증폭기에 응용되고, 차단영역과 포화 영역에서의 동작이 스위치에 응용되는데 여기서 포화영역에서는 컬렉터와 에미터 사이에 약간의 전압
|
|
|
바이어스
1) 자기 바이어스
2) 게이트-소스 전압
3) 자기 바이어스선
4) 소스 저항 효과
(4) 전압분배기와 소스 바이어스
1) 전압분배 바이어스
2) 소스 바이어스
3) 2전원 바이어스
[실험과정]
드레인 특성(게이트 제어)
[예상결과]
|
|
|
점에 주의) 이 경우, 전류는 N형의 컬렉터에서 P형의 베이스로 흐르는 것이다.
이 빛에 의한 작은 전류는 트랜지스터 전체로 보면 베이스 전류로 되므로 컬렉터에서는 크게 증폭되어 나오게 된다. 1. 관련 이론
2. 실험방법 및 결과
|
|
|
.
시뮬레이션결과
시뮬레이션 결과 이론대로의 파형이 나왔다. 1.목적
2.준비물
3.이론
☛1. 푸시풀 증폭회로
☛ 2. B급 푸시풀 증폭 회로의 특성
4.시뮬레이션및 결과
☛ 푸시풀 증폭회로도
☛ 시뮬레이션결과
|
|
|
컬렉터 저항 값의 바로 줄일 수 있다.
■ 모의실험회로 1-1 : NPN BJT 공통 이미터 증폭기 회로
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
이론(계산)값
시뮬레이션 값
31
31.086
4.75V
4.742
5mA
5.068
■ 모의실험회로 1-2 : NPN BJT 공통 이미터 증폭기 회로
- 모의실험
|
|
메뉴펼치기
