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1. 실험 개요
- [실험11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트
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게이트를 소스보다 다른 전위로 실효적으로 만드는 기법이며, 위상 관계는 역상이다.
2)CD증폭기
공통 드레인 구성은 FET에 대한 또 다른 기본적인 증폭기 구성이다. 소스 공통 접속과 는 달리 공통 드레인 접속은 부하저항이 소스 회로에 연결
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공통 게이트 증폭기는 공통 베이스 증폭기(BJT)와 유사
낮은 입력저항 Rin(source) = 1/gm
전압이득은 공통소스증폭기와 동일(Av = gmRd)
FET(Fileld-Effect Transistor)이 고입력 임피던스를 갖는 이유
간단히 말씀 드리면 FET의 물리적 구조 때문입니다. 게
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1. 실험 개요
BJT를 이용한 공통 이미터 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정한다. 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는
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증폭기의 전압이득에 미치는 영향이 작아서 안정된 전압 이득을 얻을 수 있다.
공통드레인 증폭기
소오스 전압이 의 차이를 유지하면서 게이트 전압을 따라간다.
소오스 팔로워(source follower)라고도 한다.
입력전압과 출력전압은 동일한 위
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