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기초전자공학 -明正水
7) Journal of the Korean Physical Society, Vol. 40, 1, January 2002, pp. 64~67
8) http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter6/ch6_3.htm
9) 재료전자기학 - 이후정교수님 강의안 1. 실험 목적
···········
p. 2
2. 실험 배경
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반도체 전자 공학 - 이정한
반도체 (공정 및 측정) - 전자자료사 편집부
박막 프로세스의 기초 - 금원찬 외 공저
박막공학의 기초 - 최시영 외 공저
재료과학 - Barrett 외 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 방법
4. 실험 이론
5. 참
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(Lorentz Force) 6
1.13 자기장 속에서 전자가 받는 힘 7
1.14 홀 효과 (Hall Effect) 9
Ⅲ. 응용분야 11
1.1 홀 센서 ( Hall Senser ) 11
1.2 Hall Effect and Magnetoresistance 11
1.3 고유 이동도(Intrinsic Mobility) 14
1.4 Hall 계수와 Hall 이동도 측정법 14
Ⅳ. 참고자료 15
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반도체이고 B는 N형 반도체임을 알 수 있었다.
6. 참고문헌
William F. Smith / 재료과학과 공학 / Mc Graw Hill / P.695~721, P760~763
박준용교수님 / 전자기적특성평가 / 금오공과대학교 / 강의자료 PDF 1. 목적
2. 실험이론
3. 실험 재료 및 방법
4. 실험
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반도체의 경우 (온도와 저항관계)
R
(m )
20 60 100
(온도 : )
R
(M )
20 60 100
(온도 : )
위 이론과 실험의 결과처럼 금속의 경우 온도가 높아질수록 저항이 증가하며, 전기 전도도는 감소했다. (전기전도도는 저항에 반비례하기 때문)
반도체의 경우는
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