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재료전자기학 - 이후정교수님 강의안 1. 실험 목적
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2. 실험 배경
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3. 실험 이론
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① Si의 특성
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② MOS Capacitor
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③ E-Beam의 구조와
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capacitor로서 역할을 하지 못한다는 것을 알 수 있다.
이 실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4.
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실험 전 얻으려던 실험목적을 완벽히 얻을 수 있었기에 많은 개선 사항은 없지만, 이론을 완벽히 이해하고 실험에 참여하여 반감기 를 직접 실험을 통해 계산할 수 있다면 완벽한 실험 이 될 것 같다.
* 참고 문헌
-임헌찬 외, 전기전자기초실
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MOS capacitor의 Oxide층과 전류의 주파수를 변수로 하여 가해준 V에 따른 Capacitance, 누설전류값을 측정하고 분석하는 실험을 진행하였다. 우리조는 두께가 두꺼워질수록 Capacitance와 누설전류값이 모두 감소할 것이라고 예상했다. 예상대로 Capacitanc
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고, 그 각도가 정면을 향하는 경우 중력으로 포획되는 대신 핵을 선회 후 속도가 줄지 않고 시료 밖으로 다시 튀어나가는 전자를 후방 산란 전자(BSE) 라한다. 검출기가 전자의 이동 경로 상에 위치하며 모든 원소는 원자핵의 크기가 다르며, 커
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