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일 때, 최소 듀티비라고 할 수 있다.
7. 참고문헌
(1) 계측및신호처리/강의록
(2) 기계시스템공학실험/강의록
(3) 기계시스템공학실험/Handout 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 실험 장치
4. 실험 과정 및 순서
5. 실험 결과
6. 고찰
7. 참고문헌
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실험, 문운당, 1996, Page 48∼52
문한영, 건설재과학, 동명사, 1996, Page 317∼323
Braja M. Das, 토질역학, 구미서관, 1999, Page 8 1.시험목적
2.시험기구
3.시험방법
4.시험결과 정리 및 평가
5.고찰
6.주의사항
7.참고사항
8.참고문헌
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mA
g. IDQ의 측정치와 계산치를 비교하라.
2) 자기 바이어스회로
자기 바이어스회로에서 VGS의 크기는 드레인 전류 ID와 저원저항 RS의 곱에 의해 정의되어 진다.
회로의 바이어 1. 목적
2. 실험장비
3. 이론개요
4. 실험순서
5. 토
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mA
(계산치) = 320.56
h. 순서 g를 참고하여 비록 가 상당히 증가할지라도, 와 의 결과치를 앞에서 제 시된 규격치와 비교하라.
는 비슷하나 는 1mA 정도 차이난다.
i. 실험의 이 부분에서 를 단계 1)과 2)의 결정된 와 비교하라.
는 70정도 차이가 난다.
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mA
c. 그림 10-3의 콜렉터 궤환회로에 대한 포화전류 ICsat를 계산하라.
(계산치) ICsat = 3.879mA
d. 연습문제 a, b, c의 계산에 대해 의 효과는 무엇인가?
상관없다.
2. 실험에서 조사된 세 회로에서 2N3904트랜지스터가 2N4401로 바뀌었을 대 Q점(IC와 VCEE에
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mA)와 조건에 맞는 리플에 맞게 설계한다.
단, I : 직류 부하전류
f : 리플주파수
C : 커패시턴스
참고문헌
대학기초실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 :
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F값을 측정하라.
그림4-9 간략화 회로
5. 참고자료
① TTL응용 실무 / Don Lancaster / 한국과학원 / 1977. 6. 30 / p.37 ~ p.119
② 디지털공학실험 / 이병기 / 喜重堂 / 1992. 2. 25 / p.29 ~ p.38
③ 디지털 시스템 / 송상훈 외7명 / 인터비젼 / 2005. 3. 28 / p.71 ~ p.80, p.80
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당 소비전류는 20mA이다.
4. 실험과정 및 결과예측
(1) 그림 10-9와 같은 RST-F/F 회로를 결선하고 입력 R, S의 변화가 clock pulse()에 따라 어떻게 변화하는지 표 10-5에 써넣어라(단 S, R 입력을 인가한 상태에서 clock pulse를 가한다).
R
S
Q
Q\'
0
0
0
0
0
1
0
0
0
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실험은 오차값이 많이 난 거 같아서 다음부터는 차근차근 실험을 해나가야겠다는 생각이 드는 실험이었다. 이론
실험 결과 (R=3.3KΩ, L=10mH, C=0.022*10F)
(1)R-L회로
(2)R-C회로
(3)R-L-C회로
(4)R-L-C회로 (다른 주파수 = 7K H)
결과 및 고찰
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물리학 실험에서 쓴다. 이것은
이 되는 sp의 값인데 +sp와 -sp에서 y축, 즉 f(e)에 평행한 직선을 그으면 오차곡선과 x축 사이의 면적은 이등분되고 확률오차는 결과적으로 다음과 같이 된다.
보통 물리상수가 \"최확치 ±확률오차 (p ±sp)\"로 표시
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