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트랜지스터의 경우 실험한 다른 트랜지스터에 비해 증폭 률이 작아 전원의 공급량이 다른 것들보다 적었다.
( 0 : 12.7 → 10 : 14.7 → 30 : 18.2 )
- 증폭률의 범위 조건을 만족한다.
결과 논의 및 토의 :
이 실험은 트랜지스터와 전원의 크기를 통제
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결과해석
트랜지스터의 Vce가 증가할수록 Ic와 전류증폭률이 증가하는 것을 알 수 있으며, Ib가 증가하면 Ic는 증가하나 전류증폭률이 감소하는 것을 볼 수 있다.
4. 결과논의 및 토의
이 실험을 하면서 몇 가지 어려운 점이 있었는데 첫 번째는
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물리학 실험실http://phya.yonsei.ac.kr/~phylab/
Fundamentals of PHYSICS / Halliday저
Doosan Encyber 대백과사전
고등학교 물리Ⅱ 교과서 1. 실험목적
2. 이론
3. 실험기구 및 장치
4. 실험방법
5. 실험결과
6. 결과분석
7. 토의 및 건의사항
8. 참고
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트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
3) JFET의 소신호 등가 모델(FET와 BJT의 차이점)을 알아보고, R1과 R2 값을 결정한다.
4. 실험 결과
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물리학의 기초
http://quanta.khu.ac.kr/physics/98Undergraduate_Theses/bsh/laser.htm
기타 웹사이트
http://211.40.179.13/book_file/ke27/ke027-index.htm
http://211.40.179.13/book_file/ke27/ke027-009.htm#레이저%20
http://211.40.179.13/book_file/ke27/ke027-010.htm#레이저%20 1. 레이저의 정의
1
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물리학
① 3 극 진공관 : 증폭, 발진(LC 진동) , 검파작용, 변조작용(AM,FM)
진공관의 plate 는 트랜지스터의 콜랙터(C) 에 해당.
G 는 전자의 흐름 조절
P 형 반도체( O 생김): 4가, Ge, Si 에 3가의 Al, Ga 소량 첨가.
N 형 반도체( + 생김): 4가, Ge, Si 에 5 가의
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물리학, 일반물리학실험 교재
-EBS 수능특강 물리1, 물리2 (1)실험제목 : 파동실험
(2)실험목적
(3)관련이론
(4)실험방법
A. 줄의 진동
B. Resonance wire Loop
(5)실험결과
A. 줄의 진동
B. Resonance wire Loop
(6)분석 및 결과토의
(7)참고문헌
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물리학, Halliday Resnick Walker 공저, 범한서적, 33장~34장
http://cafe.daum.net/pnuphyslee (부산대학교 일반물리학 강의 카페)
http://physica.gsnu.ac.kr/physedu/modexp/MEmain.htm 1.실험제목
2.날짜, 시간
3.공동실험자 이름
4.측정값, 실험결과
5.질문 및 토
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물리학실험, 부산대학교 물리학 교재편찬위원회, 청범출판사, p405~408
http://physica.gsnu.ac.kr/physedu
http://blog.naver.com/hypergil2345/130007954315
http://blog.naver.com/godory11 1.실험제목
2.날짜, 시간
3.공동실험자 이름
4.측정값, 실험결과
5.질문 및
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및 출처
일반물리학실험/부산대학교 물리학 교재편찬위원회/11장.단조화운동 129~137p 1.실험 목적
2.실험 원리
3.실험 기구 및 재료
4.실험 방법
5.측정값
6.실험 결과
7.질문 및 토의
8.결론 및 검토
※참고문헌 및 출처
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