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보겠다는 목표를 갖고 실험을 진행하였다.
본 실험에서는 Force sensor를 이용하여 유체에..(중략)
Ⅶ. 참고문헌 (References)
일반 물리학 실험. 김병훈 외 11명. 북스힐, 1998. 105쪽~112쪽, 277쪽~280쪽
사진 출처는 각 사진의 하단에 첨부하였다.
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안정하다 하지만 전압 분배기 바이어스 처럼 안정하지는 않다.
전압분배 바이어스 -Q점이 가장안전하고 회로는 복잡하다 1.제목
2.목적
3.기본이론
4.실험방법
(1)사용 기계
(2)사용 부품
5.결과 및 고찰
(1)결과
(2) 고찰
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같이 증가함에 따라 증가함을 알아볼 수 있었다. 또 이 감소함에 따라서 전압이득이 감소함을 알 수 있는데, 이는 = 으로 의 감소로 인해 값이 작아지고 전압이득은 이기 때문에 전압이득이 감소하였다. 1. 실험결과
2. 검토 및 고찰
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변동, 측정자의 주의력 동요 등에 의한 우연 오차가 있을 수도 있다.
무엇보다 FET의 여러 가지 Bias 회로에 대해서 알 수 있었고, 각 Bias 마다 전압의 특성, FET의 용도에 대해 명확히 알 수 있었다. 1. 실험결과
2. 검토 및 고찰
3. 토의
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1. 실험 목적
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
② 반파 정류기
3. 실험방법
① 다이오드 전압-전류특성 실험
② 반파 정류기 실험
실험결과 및 검토
실험 결과
1. 다이오드 실험 측정 기록표
2. 반파 정류기 실험측정
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결과적으로 이 회로의 구조가 변수 변화에 덜 민감한 것이다.
컬렉터 귀환 회로에서의 이론적 전압 해석은 V_CC-(I_C+I_B ) R_C-I_B R_B-V_BE=0 이고 식 I_C=βI_B 식을 통해 정리하면 쉽게 전류를 구할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시
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ACM이 0이 되어 CMRR값이 무한대가 되지만 실제로는 그럴 수 없게 되는 것이다. 따라서 이 값이 크면 그만큼 증폭률이 좋은 회로임을 알 수 있다 요약문 1
실험내용 2
실험결과 8
문제점 및 애로사항 16
설계프로젝트 진행사항 16
결론 16
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회로는 두개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로 β의 실효값(β_D)은 각 트랜지스터 값의 곱과 같다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 3
실험방법 및 유의사항 11
참고문헌 11
(별지) 측정 Dat
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다이오드에 걸리는 전압에 따른 전류 값을 이용해 다이오드의 특성곡선을 그려 문턱전압에 대한 이론과 비교해보고 DC 저항과 AC 저항의 값을 확인하여 보았다. 요약문
실험내용
실험결과
문제점 및 애로사항
설계프로젝트 진행사항
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실험에 사용할 회로를 삽입하고, 간단한 동작원리에 대하여 설명하고 실험의 전반적인 Procedure를 설명하고 무엇을 측정하여 어떠한 것을 얻고자 하는지를 설명한다. PSPICE 시뮬레이션 결과를 여기에 삽입한다. 여러 개의 회로를 실험했을 경우
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