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실험을 통해서 얻어진 gm과 바이어스 데이터를 이용하여 트랜지스터의 와 값을 구해보시오.
-> 와 을 이용하여 계산하면
= 1.125V , k = 0.919mA/V2이 나온다.
-> υc 와 υa 측정
E2.2 신호 왜곡
실험 장치 :
○ 그림 5.4회로에서 V2=15V 그리고 V1은 VC=5V
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실험회로로 결선하고 A, B 두 입력변화에 따른 출력 X의 값을 측정하라.
(2) NAND 게이트의 응용
- 그림3-8과 같은 회로를 결선하고 입력변화에 따른 출력 X, Y, Z의 값을 측정하라.
(a)
(b)
(c)
그림3-8 NAND 게이트 응용회로
(3) NOR 게이트
- 그림3-9 NOR 게
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회로 설계 및 실습
-결과레포트-
2. 전원, DMM의 내부저항 측정장치 설계
Ⅰ. 실험 목적 및 동기
이번 실험의 목적은 실습1에서 공부한 내용을 바탕으로 건전지의 내부저항을 측정하는 장치와 DMM 내부저항을 측정하는 장치를 설계,
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실험2 > Oscilloscope를 이용한 주파수에 따르는 in-out응답 측정( R-C 회로, Low-pass filter )
값이 0일때는 필터의 응답은 1이되는 것을 확인할수 있는데 이 경우 모든입력전압을 통과시키고
=0일때 캐퍼시터의 임피던스 1/jC는 무한대가 되어 캐퍼시터
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회로이론, Hayt지음, 강철호 역, Mc Graw Hill 출판
-대학 물리학, 청문각 출판 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 순서
4. 실험에 사용된 원리 정리
1) 디지털 논리 회로인 and, or, not, xor게이트의 입출력 특성
2) 부울대수와 카르노 맵, 카
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c-1에서 오차가 많이 발생했지만, c-2,3,4의 값과 비교되는 좋은 예라고 생각된다.
-브릿지 회로의 많은 전선-
실험.2 - 온도변화에 따른 저항 변화.
※수정된 실험 방법(실험장치인 스트레인 게이지의 고장으로 힘 측정 불가)
1) 고정 저항 4EA 측
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C의 용량이 크고 회로의 주파수가 높아져야 한다. 주파수가 높아지면 의 미분항 에 비해 가 상대적으로 작아진다. 따라서 를 무시할 수 있다.
- 실험으로 임피던스를 구하려면, 멀티미터로 전류를 측정해야 한다. 오실로스코프는 전류는 측정
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실험 결과
가. 실험1
(1),(2) 단자AB에 대한 Thevenin 전압 VTH와 Thevenin 저항 RTH를 계산/측정하라.
계산된 VTH
:
4 V
계산된 RTH
:
11.33 k
측정된 VTH
:
3.99 V
측정된 RTH
:
11.3 k
를 구하기 위해 부하의 연결을 끊는다. 이 때 회로를 만들면 에는 전류가 흐르지
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실험의 공진주파수의 이상적인 값은 33.9이다. 하지만, 실제 실험에서는
R,L,C의 값이 정확하게 의 값을 갖지는 않을 것
이므로, 멀티미터를 이용해 각 소자의 값을 측정하고 이를 토대로 공진주파수를 구하는
것이 이 실험에 쓰이는 회로의
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C 필터는 주파수 변화에 따른 전압의 변화
주파수는 1KHz 차이로 50KHz까지 하였고 이론값과 실험값의 오차를 계산. 그래프고 나타냄 1. 실험목적
가. R – C 직렬 회로의 전압과 전류를 측정하여 VR과VC, IR과IC의 관계를 파악해 본다
나. R &
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