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측정값을 기록하고 RC시상수 이론값과 비교하는 실험이었습니다. 비교적 큰 오차 없이 정확하게 잘 행해졌습니다. 여기서 RC시상수는 원래 기전력의 배, 즉 약 63.2%가 되게 하는 시간을 말합니다. RC시상수는 콘덴서에 걸리는 전압 외에도 회로
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ELVIS Circuit Design 번들에는 회로 디자인을 강의하기 위한 필요한 모든 요소가 포함되어 있으며, NI ELVIS/Freescale HCS12 MCU 번들에는 NI ELVIS와 작동하는 Freescale 도구가 포함되어 있어 마이크로컨트롤러 실험을 위한 단일 플랫폼을 제공합니다.
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회로
14-1 트랜지스터의 Vce-Ic 특성
14-2 트랜지스터의 Ic-Vbe 특성
14-3 트랜지스터의 hfe-Ic 특성
14-4 트랜지스터의 re저항 계산법
14-5 트랜지스터의 hfe()측정
14-6 트랜지스터의 3가지 영역
14-7 트랜지스터의 증폭작용
14-8 트랜지스
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실험
1) 실험결과 및 고찰
2) 작동원리 및 종류
3) 정전압 다이오드의 원리와 특징
2. 트랜지스터 실험
1) 트랜지스터 종류
2) 트랜지스터의 원리 및 특성
3. OP-amp 실험
1) 실험결과 및 고찰
2) 반전/비 반전 증폭기의 작동원리
3) OP-amp 의
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측정하고 데이터 수집 방법에 대한 계획을 세운다. 특히, Vgs(게이트-소스 전압)와 Id(드레인 전류)에 대한 그래프를 그리기 위해 최소 5개 이상의 다른 전압 값에서 실험을 진행하는 것이 좋다. 실험 중 발생할 수 있는 변수들, 예를 들어 온도
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측정을 방해하여 결과의 일관성이 떨어질 수 있음을 알 수 있었다. 따라서 더욱 정밀한 실험 설계를 통해 이러한 변수를 통제하는 것이 중요하다는 결론에 이르게 되었다. 결론적으로, 단진자의 운동과 중력 물리학적 원리를 탐구하는 과정은
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실험을 하였다. 결과 그래프의 피크가 나머지 것들도 다른 실험 데이터랑 많이 다르게 측정되었다. 촉매 반응기를 이용해 (BET, Langmuir Theory) 촉매의 표면적을 구할 수 있었는데, 다분자층을 형성할때에는(물리적흡착) BET식이, 단분자층을 형성
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옴의 법칙은 이론적으로만 이상적인 값을 가지게 된다. 1. 실험방법
2. 실험 data 분석
(1) 저항과 전류의 변화에 따른 전압의 측정
(2) 전류가 2mA, 4mA 일 때 저항과 전압의 그래프 작성
3. 결론
4. 토론
①오차
①관련이론
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개폐기를 닫고 전원 전압을 조정하여 표에 제시한 공급전압 V1에서 입력 P, 여자 전류 Io, 2차 유기전압 E2를 측정하여 기록하고 전압을 0[V]로 낮춘 후 전원 개폐기를 연다. 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 실험 준비물
4. 실험 순서 및 방법
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실험 3에서 두 개의 주기는 비슷한데 위상차가 나는데 이는 축전기에 저장되는 전하량만큼이 위상차를 불러오는 것이라고 생각된다.
이번 실험은 측정은 쉬운 듯 했는데 결과 분석이 상당히 난해했다. 특히 각각의 단자를 연결하는 방식이
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