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실험할 때 시편과 게이지 사이에 본드가 존재함으로서 본드의 변형률이 실험할 때 고려해야 오차를 줄 일수 있다. 실험할 때 추를 올리는 부분도 선으로 표시를 하는데 여기도 문제가 생긴다. 선의 위치에 정확하게 추를 매다는데 따른 오차
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스트레인 게이지를 2개를 사용 한 것 같습니다.
실험측정 후 보니 시편이 처음엔 수평을 유지 하였는데, 나중에는 조금 아래로 처진 것이 보였습니다. 이 또한 조교분이 왜 그럴까 질문 하셨는데, 우리가 실험한 것은 연성 재료로써 항복응력
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스트레인 게이지를 2개를 사용 한 것 같습니다.
실험측정 후 보니 시편이 처음엔 수평을 유지 하였는데, 나중에는 조금 아래로 처진 것이 보였습니다. 이 또한 조교분이 왜 그럴까 질문 하셨는데, 우리가 실험한 것은 연성 재료로써 항복응력
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저항으로 측정하기 때문에 변형 방향과 Gage Length의 방향이 정확히 일치 되지 않았다면 정확한 저항값을 얻기 힘들다.
그 밖의 오차의 요인들로는 cantilever beam에 어느 정도의 소성변형이 가해진 상태에서 실험을 하였기 때문에 그에 따른 재료
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저항요소에 의해 정확한 전기적 신호를 Data 출력장치에 보내지 못 했을 것이다.
하지만 이번 Strain gage 실험을 통하여 다른 학문에 비하여 역사가 그렇게 길지 않은 ‘파괴역학’이라는 학문을 접하게 되고, 실생활에서 정말 중요한 부분을 차
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론
2-1 실험체 설계
2-1-1 실험변수
2-1-2 실험체 수
2-1-3 게이지 부착 및 변위계 설치
2-1-4 실험체 설치 및 가력방법
2-1-5 수량 산출
2-2 실험체 제작과정
제3장 결 론
3-1 실험결과
3-2 비교분석
3-3 결 론
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저항력 7
2.2.1 수평하중을 받는 말뚝의 해석방법 7
2.2.2 말뚝의 수평저항력 산정 8
제 3 장 모형실험 장치 및 방법 33
3.1 모형말뚝 및 모형지반 33
3.2 하중재하 35
3.3 측정장치 39
3.4 모형실험 방법 42
제 4 장 연구결과 및 분석 45
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전기 방지대책
2.2.4.1 접지
2.2.4.2 가습
2.2.4.3 대전방지제의 사용
2.2.4.4 대전방지 용품을 사용
2.3 정전기 측정 방법
2.4 실험 장치 및 방법
2.4.1 측정 원리
2.4.2 측정 장치의 설계도면
2.4.3
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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재료학분야 연구능력검증 기출면접문제 111
? 논문작성 연구보고서 작성능력 검증 기출문제 117
? 통계분석 학술이론에 대한 지식검증 기출문제 125
1. 의사 결정에 필요한 데이터 분석: 126
2. 현상 이해와 예측: 127
3. 실험 설계와 해석: 127
4.
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저항과 전기저항을 동시에 최소화하는 지오메트리 최적화 기법을 적용하고, 실제로는 반도체 공정을 활용한 마이크로 TEG 프로토타입을 제작한 후 실험실에서 온도 차이에 따른 출력전압, 변환 효율, 내구성 등을 정량적으로 측정할 예정입니
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전기병-3과정 23기
수 료
교육 참가 및 수료 내역
기 관 명
참가 시기
교 육 명
내 역
(주)애듀앤 잡
2012.09.13 - 09. 15
2012 직무중심 취업 전략 캠프
수 료
경진대회 입상 내역
수 상 명
수상 시기
수상 기관
수상 내역
우 수 상
2011.12.29
강원대학교
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실험(I,II)
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물리전자
60
일반역학
27
물리특강
61
입자물리학
28
물리학
62
자성물리학
29
물리학 및 실험(I,II)
63
재료물리학
30
물리학 수치해석 및 실습
64
재료열역학
31
물리학개론
65
전산물리학
32
물리학의 기초
66
전자광학
33
물리학의 현대적
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