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TTL 게이트 군에서 사용된다. 토템-폴 출력TTL 에서의 Q2의 이미터 저항이 schottky TTL에서는 트랜지스터 Q6와 2개의 저항으로 구성된 회로로 대신 되었다. 이 회로는 앞에서 논의되었던 차단전류의 스파이크를 감소시키기 위한 것이다. 전파시간을
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게이트(NOT 게이트)
74LS08 : AND 게이트
74LS32 : OR 게이트
2)3색 단심 리드선
4. 예비보고서 문제
(1)에 대한 진리표를 작성하시오. (실험 1 참조)
부울 대수로 간략화하여 논리적의 논리화 형태의 논리회로를 그리시오.
*진리표
A
B
C
Y
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
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회로의 전기적 특성PPT
◎ 한규희, 디지털전자회로, 크라운 출판사
◎ H. E. West, CMOS VLSI 설계의 원리 Ⅰ. MOS의 원리
Ⅱ. MOS의 제조공정
Ⅲ. CMOS의 원리
Ⅳ. CMOS의 인터페이스
1. CMOS와 TTL의 interface
2. TTL과 CMOS의 interface
Ⅴ. 논리계열
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회로이론, 한경희외 공저, 형설출판사, 1991.2
2. 전기전자기초실험, 신정록외 공저, 한올출판사 1996.8
3. 전기회로, 최윤식외 공저, 의중당, 1996.2
4. 디지털전자회로, 김기남 저, 네트웍텔레콤 정보기술원, 1998.2
5. 집적회로, 이영훈 저, 상학당, 2002
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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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대해서도 더 자세히 알 수 있었다.
이번실험을 하면서 전자회로 시간에 이론적으로 배운 내용을 실험을 통해 확인할 수가 있었다. 그리고 실험도 우리가 원하는 값이 잘 나와 주었기 때문에 실험이 수월하게 끝난 것 같다. 다음 실험도 이번
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회로도
(2) 시뮬레이션 결과
(3) 실험 회로
(4) 1K Hz
(5) 10K Hz
(6) 100k Hz
(7) 500k Hz
시뮬레이션 결과 JFET 회로는 반전 증폭기의 특성이 나타났는데 그래프 상으로 전압이득은 약 2.5로 나타났다. 그리고 이번에 실험하게 될 회로에 대해서도 시뮬레이
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게이트를 만들면 이것이 곧 NOT 게이트가 된다
2. NAND 게이트에 NOT 게이트를 직렬로 연결하면 AND 게이트와 같이 된다
3. 세 개의 NAND 게이트를 연결하면 OR 게이트를 얻을 수 있다
Ⅲ. 게이트와 TTL(트랜지스터 트랜지스터 논리회로)게이트
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게이트이다. TTL은 논리 게이트의 표준이며, 대부분의 회사는 이를 기준으로 제품을 생산한다. 초기의 TTL은 ‘74 시리즈’이다. 74 시리즈는 성능이 개선되면 그 특징을 나타내는 문자를 덧붙이는 방식으로 개량되어 왔다. 74 시리즈는 쇼트키
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따라 조금씩 부식이 일어날 수도 있기 때문에 내가 사용했던 브래드 보드 역시 이론에 가까운 완벽한 상태가 아니었을 가능성이 크기 때문에, 오차가 발생했을 가능성 또한 크다고 생각한다. 1. 회로도
2. 이론값
3. 실험결과
4. 결과분석
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