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회로를 설계하고 분석하는 데 큰 도움이 될 것이다. 다이오드와 LED를 활용한 다양한 응용 사례를 생각해보며, 전자 회로의 실제 적용 가능성을 탐색하는 것 또한 흥미로웠다. 이번 실험을 통해 얻은 지식은 향후 전자공학 분야에 대한 이해를
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발광
발광 다이오드(Light emitting diode, LED)
레이저 다이오드(LASER diode)
수광
광다이오드(Photo diode)
전자사태 광다이오드(Avalanche photo diode)
핀 다이오드(PIN diode)
6. 출처
전자 회로 실험책 (저자: 정동철 교수님),위키백과검색-다이오드
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위상을 비교
출처 : 교재 본문, 기초전기전자실험(김상배 저, 2009),
네이버백과(http://100.naver.com) ‘주파수 응답’
< 참 고 문 헌 >
기초전기전자시험 / 김상배 저 / 흥릉과학출판사 / 2009
회로이론(7판) / 제임스닐슨 저 / PEARSON / 2005
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전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp61-64.
AlexanderSadiku, 『Fundamentals of Electric circuits』4th, McGRAW.hill higher Education, 2009, pp130-131.
네이버 백과, 검색어|선형사상, http://100.naver.com/100.nhn?docid=91219 1. 목적
2. 관련이
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시키면서 출력 전류-전압 특성을 관측하여 기록하라.
(5) 위 실험을 입력이 개방된 상태에서 반복하여 기록하라.
(6) <그림 12>와 같이 회로를 구성하고 가변저항을 변화시키면서 전류-전압 특성을 관측하여 기록하라.
(7) <그림 13>의 두
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회로를 구성하면서 생긴 도선이나 브레드보드의 내부저항, 전류나 전압을 측정할 때 멀티미터의 내부저항이 실험에서 발생한 오차에 영향을 미쳤을 것이다. 이러한 BJT의 특성곡선을 이용해서 DC, AC 전류 증폭기, 스위치 등등에 응용할 수 있
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(전원전압 10V)
표 4-2. R1=820Ω, R2=1㏀ 저항 2개의 병렬 연결 (전원전압 10V)
표 4-3. 3개의 저항 R1=820Ω, R2=1㏀, R3=2.2㏀의 병렬 연결 (전원전압 10V)
표 4-4. 4개의 저항 R1=820Ω, R2=1㏀, R3=2.2㏀, R4=3.3㏀의 병렬 연결 (전원전압 10V)
2. 실험 결론
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실험 결과는 광전 소자가 단순한 빛 감지 이상으로 복잡한 신호 처리와 제어가 가능하다는 것을 보여준다. 결국, 광전 소자의 특성과 응용에 대한 심층 분석은 전자 회로 설계 및 개발에 있어 필수적인 지식을 제공하며, 향후 광전 소자의 발
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험에서 필수적인 도구로 자리잡고 있으며, 실험적 접근과 함께 이론적 배경을 탄탄히 하는 데 기여한다.
7. 결과 분석 및 논의
MOSFET의 특성 분석 결과는 전자 회로의 이해를 깊이 있게 만들어 주었다. 실험을 통해 관찰된 전류와 전압의 관계는
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실험 내용
A. SR latch
(1) <그림 8>의 회로를 구성하라.
(2) 입력 S와 R의 조합을 통해 진리표를 완성한다. 표의 상태 행에서 set, reset, last Q, ambiguous 등으로 구분하여 기입한다.
(3) SR latch의 동작을 시간도표로 나타내고, 특히, S=R=1에서 S=R=0상태
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