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회로변수인 전압이나 전류의 비선형함수이기 때문에 각 성분전력의 합으로는 전체전력을 구할 수 없기 때문입니다. 수식으로 표현하자면서 과 이 같지 않는 것으로 표현할 수 있습니다.
6. 고찰
중첩의 원리의 실험데이터를 보면 이론값과 오
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실험으로 측정할 수 있었으며 X축 Y축을 모두 사용함으로써, 커패시터와 저항이 만드는 위상차를 측정할 수 있었고, 또한 주파수의 차이에 의한 리싸주 모형을 관찰 할 수 있었다. 이러한 실험은 우리가 이론적으로만 알고 있던 전자 이론에
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.kr/class3/assistant/Manual/2002-2/실험II_02-회로망정리의검증.hwp 결과보고서
■ 실 험 제 목 : Thevenin & Norton 정리
■ 실 험 목 적 :
■ 관련 이론
■ 실습 평가
■ 참고문헌 및 Internet Site URL
■소감 및 건의사항
예비보고서
1. 목 적
2. 이 론
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외1, 2008, Prentice Hall
-전기전자기초실험, 신정록 외 공저, 한올출판사
-Logic and Computer Design Fundamentals 3rd 1. Title
2. Name
3. Abstract
4. Background
(1) Shift register
(2) Divider
5. Simulation
6.Experimental Results
7. Analysis
8.Conclusion
9. Reference
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회로를 실험실 환경에서 제어하고 실제 부품으로 구현하는 과정을 함께 진행하면서 이론과 실제를 연결짓고, MOSFET의 특성을 더욱 심도 있게 이해할 수 있다. 이 모든 과정은 전자 회로를 구성하는 데 있어 매우 중요한 부분이며, 이후 설계 및
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회로는 저항의 정확한 값을 측정하고자 할 때 응용할 수 있다.
Reference : -전기전자공학개론, Giorgio Rizzoni지음, Mc Graw Hill 출판
-회로이론, Hayt지음, 강철호 역, Mc Graw Hill 출판
-대학 물리학, 청문각 출판 1. 실험 목적
2. 실험 순서
3. 실
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측정치)= 약 =2.12V 오차 = 0.41V
다음 식은 부하시 출력전압과 무부하시 출력전압의 관계식이다. 위의 식을 이용하여 는 ==4132Ω
오차 = 1.332kΩ
5) 파형
6. 고찰
이번 실험 자체는 쉬웠으나, 결국 오실로스코프 사용법이 숙달 되지 않아 시간이 오래
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실험을 하였다. 표 4-4에서 오차를 살펴보면 과정②와 과정④ 에서 0%부터2.38%까지 나타나는데 크기가 그렇게 크지는 않게 나왔다. 그리고 단순한 직렬회로 보다는 직렬회로와 병렬회로가 혼합된 회로에서의 오차가 더 적게 나왔다.
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3)을 설치하여 다시 ⑤, ⑥, ⑦의 실험을
반복한다.
⑨ DC전원 대신에 AC전원을 연결하여도 두 단자 사이에 전위차가 잇으며 전자는 회로를 통해서
이동한다. 이 등전위점을 찾기 위해서는 검류계 대신 오실로스코프를 사용하면 된다.
※미소
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실험 전 얻으려던 실험목적을 완벽히 얻을 수 있었기에 많은 개선 사항은 없지만, 이론을 완벽히 이해하고 실험에 참여하여 반감기 를 직접 실험을 통해 계산할 수 있다면 완벽한 실험 이 될 것 같다.
* 참고 문헌
-임헌찬 외, 전기전자기초실
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