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12장 테브낭 정리
실험 목적
1. 선형저항성 회로망을 테브낭 등가회로로 변환한다.
2. 여러 가지 부하저항의 효과를 비교함으로써 <목적1>의 회로망과 테브낭 회로가 등가인 것을 증명한다.
이론요약
• 테브낭 정리
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고 I2=909.1uA가 된다.
1) 실험35 : h파라미터의 측정
1) 회로35-6
실험 회로도
시뮬레이션 결과
분석 : 강의자료에 있는 2N404대신 A1266으로 PNP트랜지스터를 사용하라는 것을 확인하여 그것으로 사용하려고 했으나 확인해본 결과 두 개의 소자가 모두
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실험을 통해서 얻어진 gm과 바이어스 데이터를 이용하여 트랜지스터의 와 값을 구해보시오.
-> 와 을 이용하여 계산하면
= 1.125V , k = 0.919mA/V2이 나온다.
-> υc 와 υa 측정
E2.2 신호 왜곡
실험 장치 :
○ 그림 5.4회로에서 V2=15V 그리고 V1은 VC=5V
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실험실의 환경이나 실험할 때 측정기를 사용하는 과정에서 차이가 난 것으로 생각된다.
5. Conclusion & Evaluation
-이번 실험을 통해 디지털 멀티미터와 파형발생기, 오실로스코프의 사용법에 대해 배웠다. 전에 기초회로실험을 듣지 않아서 실험
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실험에서 다이오드가 순방향 일 때, 다이오드에 가해준 전압이 0.7V 이하일 때는 전류가 거의 흐르지 않다가 0.7V를 초과할 때 전류가 크게 증가하고, 역방향 일 때는 전류가 회로가 개방된 것처럼 전류가 흐르지 않는 특성을 확인했었다. 다이
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실험결과
1) 실험 1 : Fixed-Bias를 이용하여 β값 구하기
≪ 그 림 ≫
≪ 표 - 그림 파일 ≫
실험결과분석 : Fixed-bais 회로를 이용하여 구한 β값은 197.4174의 값이였다.
β=I_c/I_b 로 구할 수 있으며 이 β는 앞으로의
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실험결과
1) 실험 1 : PWM 회로
≪ 그 림 ≫ ≪ 그 림 ≫
≪ 그 림 ≫
실험결과분석 : PWM제어를 하기 위해 다음의 조건에 맞추어 설계하였다.
입력 전압을 4Vpp-100Hz, 삼각파 offset : 2Vdc
OpAmp의 비교
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OP Amp의 여러 가지 특성(Slew Rate, Offset Voltage, CMRR)들을 이해하고, 확인한다.
2. 실험결과
1) 실험 1 : Slew Rate
2) 실험 2 : Offset Voltage
3) 실험 3 : CMRR(Common-Mode Rejection Ratio)(B반 14조의 데이터 참고)
4) 실험 4 : CMRR 비반전 증폭기
3. 고 찰
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Diode 2
1. 실험목적
● Bridge회로를 구성하고 동작원리를 이해한다.
● Zener Diode의 동작원리를 이해한다.
2. 실험결과
1) 실험 1 : Bridge 회로
≪ 그 림 ≫
≪ 그 래 프 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
실험결과분석 : Bri
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실험 하였는데, 실험 방법은 브레드 보드에 회로를 설치하여, 파워 서플라이로 전압을 공급해주고, DMM으로 (1KΩ)저항에 대한 전압을(VR)을 측정하면서, 각 전압에 따른 다이오드데 대한 전압(VD)값을 측정하였고, 실제 저항값과 전압에 대한 ID
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