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실험 결과 반도체를 접합시켜서 다이오드로 만들었을때 공핍층이 형성되어 보통때는 전류를 흐르지 않는 부도체로 있다가 순방향으로 전류를 흘려주면 전자가 이동하려고 하는 방향과 이온이 움직이는 방향이 일 치하여 어느 한 순간이 되
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회로와 전파정류회로의 출력전압그래프에서 면적을 비교하면 반파에 비해 전파정류회로가 2배정도 넓다. 따라서 전파정류의 평균값이 반파 정류 평균값보다 2배 크다. 1. 실험 목적
2. 이론
2-1. 반파 정류 회로 (half-wave rectifier circuit)
2
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실험에서 다이오드의 최대역전압이 가장 낮은 정류기 회로는?
(a) 반파정류기 (b) 중간탭 전파정류기
(c) 브리지형 전파정류기 (d) (a)와 (c)
⇒ 반파정류기인 경우 다이오드가 하나만 사용되기 때문에 PIV(peak inverse voltage)가 Vs값을 그대로 갖지만
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다이오드를 파괴할 수 있는 경우가 발생하게 됨으로 결국은, 캐패시터의 크기는 적절하게 그 실험에 맞는 값을 선택하는 것이 가장 좋은 방법이라고 생각해 보았다.
실험 3장에 대한 복습문제
1. 그림 3-1의 회로에서 캐패시터 입력필터의 시
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실험에서 제너 다이의오의 변곡점이 6.2V임을 알 수있었고, 답은 그러므로 약6V의 값이 맞다고 할 수 있겠다.
2. 다이오드 특성곡선의 어느 부분에서 제너다이오드는 개방회로와 같이 되는가?
(a) 다이오드 전압이 제너전압보다 작을 때
(b) 다이
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다이오드에서 역방향 바이어스가 되었다는 것을 의미하게 되는 것이고, 이것은 결국 PNP트랜지스터라는 것을 의미하게 되는 것이다. 트랜지스터 접합을 시험하는 법
1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용
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IDSS / | VGS(off) | 으로 500㎲=2 × IDSS / | -3V| 을 이용해 구해 보면 7.5mA의 값이 나오게 된다. 1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 20장에 대한 복습문제
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실험 9 Detection/Protection Circuit 실험
◎ 결과 보고서
실험 1
1-3 : V=8V ,, I=V/R=4.7/19=0.25[A]
1-4 : 전류는 더 많이 흐르고 제너전압이 더 빨리 도달
특정 전류 3)을 확인 V=6V ,, 2V더 빨리 도달
D(4.7v)가 5V로 상승 ( 실험결과 )
2-3 : 시작점 : 22.4V ,, 끝점 : 30V
3-
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실험
◎ 결과 보고서
1. 2)-1 이론치 : *VCC(5) = 3.3V ,, 실험치 : 4V
1. 2)-2 이론치 : Hi=0.695(R+R)C=0.7ms ,, low=0.695Ra*C=0.23ms
실험치 : Hi=0.6ms low=0.26ms
1. 2)-3 이론치 : T=0.695(R+2R)C ,, T=0.93mHz ,, 실험치 : 0.925mHz
1. 2)-4 이론치 : D===75% ,, 실험치 : 80%
1. 3) 다이오드
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