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회로의 트랜지스터에서 β가 증가한다면 VB는?
(a) 감소한다. (b) 증가한다.
(c) 근본적으로는 그대로 유지된다.
⇒ VB=Vcc×R2/(R1+R2)에서 VB값은 전혀 β의 영향을 안 받는 것을 알 수 있다 그러므로 트랜지스터의 β의 감소나 증가로 인해서 VB값은 영
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회로에서 RB를 낮추면?
(a) IB가 감소한다. (b) Ic가 증가한다.
(c) VCE가 증가한다. (d) 위의 모두가 일어난다.
⇒ 회로에서 RB의 값을 낮출 경우 IB=(|VEE|-0.7V)/(RB+β×RE)에서 IB값이 증가하게 되고 이것은 IC값의 증가로 이어진다. IC값이 증가하게 되면
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회로에서 β값이 170에서 150으로 변한다 하더라도 IC의 값이 증가되고 감소되는 문제이지 IB의 값은 거의 변함이 없을 것이라 생각해 보았고, 그러므로 앞에서 구한 25.53uA와 거의 같을 것이라고 생각해 보았다.
2. 그림 1에서 트랜지스터의 β가
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회로 구성 시 요구되는 부품이 매우 적다는 장점을 가지고 있다.
※ 전자회로 실험 P.60 그림 8-1 (바이폴라 트랜지스터에 대한 바이어스 형태)
3. 공식
베이스 바이어스
(1)
(2)
(3)
에미터 바이어스
(1)
만약, 이면,
(2)
(3)
(4)
전압분배 바이어
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회로를 구성한다. 그림 7-4 회로의 특징은 다음과 같다.
공통 에미터 저항은 역전압을 올릴 것이다. 또한 두 트랜지스터의 다른 포화전류로 인하여 역은 출력이 포화되었을 때와 출력이 차단되었을 때가 다르게 될 것이다.
※ 전자회로실험 P.54
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