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제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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1. 목적
Limiting회로와 Clampling회로를 설계하고 구현, 측정, 평가한다.
2. 준비물
Analog Lab Unit(ALU) 1개
함수발생기 1개
직류전원(power supply) 1개
Oscilloscope(OSC) 1개
Diode : 1N914 또는 KDS160 1개
저항 : 100kΩ 10% 1개, 5kΩ 10% 1개
Capacitor : 1uF 1개
3.
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수 있다. 또한 = 4.0112 V이고 = (4.0112-3.4907) V = 0.5142 V로 구할 수 있다. (A)에서 다이오드의 문지방전위를 이 0.9V 이하가 되도록 설계하라 했는데 실제로 0.9V보다 작으므로 맞게 설계되었음을 볼 수 있다. 1. 목적
2. 준비물
3. 설계실습 계획서
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자료(회로도) Ⅰ. 서 론
Ⅱ. RS232 통신 및 AVR ISP
1. RS232
2. ISP
Ⅲ. ATmaga128 모듈의 특징과 기능
1. AVR MCU(Micro Controller Unit)
2. ATmega128의 외부 구조
3. ATmega128의 특징
4. UST-MBP- ATmega128 모듈
Ⅳ. A/D컨버터
1. ADC특징
2. 전압계
3.
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다이오드는 전도상태로 되지 못한다
참고문헌
대학기초실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험
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회로도………………………………………………9
2. 회로구성…………………………………………10
3. 재료 및 예산소비내역……………………………13
4. 제작 결과물 성능평가 추론……………………14
※ 참고문헌…………………
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회로와 같이 된다. V1=909.1mV가 되고 I2=909.1uA가 된다.
1) 실험35 : h파라미터의 측정
1) 회로35-6
실험 회로도
시뮬레이션 결과
분석 : 강의자료에 있는 2N404대신 A1266으로 PNP트랜지스터를 사용하라는 것을 확인하여 그것으로 사용하려고 했으나 확인
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고 I2=909.1uA가 된다.
1) 실험35 : h파라미터의 측정
1) 회로35-6
실험 회로도
시뮬레이션 결과
분석 : 강의자료에 있는 2N404대신 A1266으로 PNP트랜지스터를 사용하라는 것을 확인하여 그것으로 사용하려고 했으나 확인해본 결과 두 개의 소자가 모두
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다이오드의 특성을 이용해 *의 특성을 같은 and gate를 설계해 보았으며 그 값을 측정해 동작을 확인하는 과정을 가졌다. 브릿지 회로의 경우에서 또한 같은 특성을 볼 수 있었고 이렇게 여러가지 실험을 통해 다이오드라는 소자의 여러 활용법
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12장 테브낭 정리
실험 목적
1. 선형저항성 회로망을 테브낭 등가회로로 변환한다.
2. 여러 가지 부하저항의 효과를 비교함으로써 <목적1>의 회로망과 테브낭 회로가 등가인 것을 증명한다.
이론요약
• 테브낭 정리
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