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특성 임피던스란?
⇒ 특성 임피던스를 한마디로 정리하면, 반사파가 존재하지 않을 때, 어느 지점에서의 전압과 전류의 비라고 할 수 있다. RF에서는 주로 50Ω과 75Ω을 많이 사용하는데, 하나의 임피던스로 통일해서 사용해야 반사가 존재하
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않을 수도 있다. 실험2의 직육면체 시료에 비교하여 같은 디지털 캘리퍼스임에도 불구하고 원통형 시료의 편차가 더 큰 것으로 보아 시료의 모양 역시 측정함에 있어 오차의 원인이 됨을 알 수 있다. 지름과 높이, 질량의 표준오차에 의해 이
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0.5cm ± 0.002cm
부피의 계산
평균값 : 7.07cm
표준오차 : 0.009cm
보고할 값 v= 7.07cm ± 0.009cm
밀도의 계산
평균값 : 2.68g/
표준오차 : 0.015g/
보고할 값 : = 2.68 ± 0.015g/
부록에서 찾은 값: = 2.7 g/
3) 결과 및 토의
두 실험은 우리가 직접 질량과 지름 또는
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light를 만들려고 한다. 414nm blue, 525nm green, 650nm Red를 만들기 위하여 필요한 화합물반도체 재료와 각각의 를 조사하시오
InGaN, AllnGaP, AlGaAs
414nm blue ;
525nm green ;
650nm Red ; 1.서론
2.실험
3.계산 및 결과
4. 결과분석 및 검토
5. 참고문헌
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1. 목적
2. 이론
3. 사용기기 및 재료
4. 실험방법
5. 고찰 및 평가
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특성에 대한 이해는 안정적인 이동통신 서비스를 위한 필수 요소이다.
4) 전파 모델
전파 모델은 이동통신 시스템에서 전파가 전파되는 방식과 그 특성을 이해하기 위한 중요한 도구이다. 전파 모델은 주로 자유 공간, 다중 경로, 그리고 페이
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결과 REPORT
BJT바이어스 특성 및 회로
목 차
1. 실험 목적
2. 실험 장비
1.계측기
2.부품
3. 이론
4. 실험 내용 및 결과
1. 달링턴 이미터 폴로어 회로
2. 달링턴 회로 입출력 임피던스
3. 캐스코드 증폭기
5. 결론
6. 토의 및 고찰
1. 실험 목적: 달링턴
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특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향 바이어스회로에서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이를 알아봄으로써 Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 역방향에서 저항값이 충분히 커
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바이어스를 인가하여야 제대로 측정이 된다. < JFET 특성 >
1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론개요
4. 실험순서
5. 실험 결론
6. 토의 및 고찰
< JFET 바이어스 회로 >
1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론개요
4. 실험 결론
5. 토의 및 고찰
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특성 곡선에서 얻은 값과 비교하라.
답 :
이론
PSpice 모의실험 13-1
드레인 전류를 구하라.
답 : 928.0uA
2. 드레인-소스 전압을 구하라.
답 : 15V
3. 게이트-소스 전압을 구하라.
답 : 23.04uV
4. 직류 전원 VDD에서 전달되는 직류 전력을 구하라.
답 : 13.92mW
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