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실험 4.3의 회로를 그리고 자신이 설계한 회로와 차이가 있다면 그 차이를 분석하라. 측정값과 설계값을 비교하고 오차를 %로 표시하라. 오차의 원인을 분석하라.
예비 리포트에서 설계한 회로
실험 4.3의 회로
설계값 : 9 V, 측정값 : 8.925 V, 오차
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간단하게 측정하는 방법은 [그림 6-6(b)]와 같이 VDS 가 매우 작은 값을 갖을 때 ID 를 VGS의 함수로 나타낸 Graph를 이용하는 것이다. 즉, (식 6-6)과 같이 표현된 것 처럼 ID versus VGS plot에서 X-axis와 만나는 지점이 VT가 된다.
MOSFET의 특성을 나타내는
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측정하는 경우는 이 돌출부분만의 중량이 10kg이상이어야 한다.
- 그림 4-17 돌출부분의 쇼어 실험 -
시험편을 시험대위에서 누르는 힘은 20kg 이상이어야 한다.
압흔은 작더라도 한번 타격된 부분은 가공 경화된다. 따라서 동일 부분을 2회 이상
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실험 방법
1. GF/C 여과지를 Muffle furnance에서 550℃로 15 분동안 강열한다.
2. Dessicator에서 실온이 될 때까지 식힌다.
3. Chemical balance에서 GF/C 여과지의 무게를 단다.
(0.1 mg까지 무게 측정)
4. GF/C 여과지를 여과기의 지지대 위에 부착하고 증류수를
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실험 기자재 및 측정장비
가) 기자재 : 클러치 구성품
나) 측정장비 : 버니어 캘리퍼스, 스프링 저울, 자
5. 실험 순서
1) 클러치의 작동여부를 파악한다(클러치 단속에 따른 구동축 동력전달 여부 파악).
2) 분해된 클러치 모델을 분해한다.
① 플
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전선의 저항 및 접촉 저항을 검사해 본다. 1. 실험 목적
2. 이 론
(1) 휘트스톤 브릿지란?
(2) 휘트스톤 브릿지의 기본 원리
(3) 슬라이드 - 와이어(Slide-Wire)형 휘트스톤 브릿지의 원리
3. 실험 기구 및 장치
4. 실험 방법
5. 주의사항
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실험 방법은 위의 R-L회로 실험과 같은 절차를 거친다.
▶ R-L-C 회로
⑪ 적당한 저항 팩, 코일 팩, 콘덴서 팩을 명판의 위치에 부착, 연결한다.
⑫ R-L 회로 실험과 같은 방법으로, 전압을 측정할 때 각각의 소자에 걸리는 전압을 모두측정해야 한
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측정 한다.
♠ 주의 사항 ♠
① DC Power Supply를 끄기 전에 전압과 전류를 완전히 낮춰준다.
② 자기장 값을 LabVIEW로 읽을 때 몇 분 기다렸다가 읽는다.
③ 자기장의 단위는 Gauss이다.
④ 홀 센서가 솔레노이드에 닿지 않게 하여야 한다. 1. 실험
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측정 시 이동 검침봉이 물에 수직하지 않은 경우에는 정확한 실험이 되지 않으 므로 주의해야 한다. 또한 고정 검침봉이 움직이면 다시 처음부터 측정 해야 하므로 주의한다.
③ 전극이 움직이기 쉬우므로 움직이지 않도록 주의하여 측정한다
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실험값으로 λ = 0.029975를 얻었다. 1854년에 France Dupuit가 측정한 값(λ = 0.03)과 거의 비슷하다.
우리는 실험하면서 Q을 정확하게 측정하지 못했다. 그래서 나중에 실험값을 얻을 때 오차가 클 것으로 생각했다. 하지만 다행히 생각보다 좋은 데이
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