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= 4.284 V
VIL = 0.970 V
VIH = 1.392 V
2) NOT 게이트의 입출력 특성 곡선 및 노이즈마진
NMH = -2.892 V
NML = 0.517 V
3) Y와 Y\'에 흐르는 전류값 = 12μA
* 검토 및 토의 사항
이번 실험을 진행하면서, X-Y 특성곡선에서 기울기가 -1인 두 개의 접선에서의 값(그래프
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실험 종합
이번 실험은 CMOS 회로의 전기적 특성을 알아보는 시간이었다. 3년 만에 만지는 오실로스코프에 긴장하기도 하였지만, 예비보고서를 준비할 때 오실로스코프에 대한 조사를 하고가니 한결 쉽게 해결 할 수 있었다. 실험1번에서 미세
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실험 3에서 Y와 Y\'에 흐르는 전압을 측정하니 약 1V가 나왔고 7400 TTL 2개의 게이트에서 입력단과 출력단의 전위차가 1V가 측정되는 것을 알 수 있었다. 실험 7. 디지털 게이트의 전기적 특성
1. 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4.
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실험 결과 및 고찰···················37
5.1 Bias Aging에 따른 MIM 특성 분석··········37
5.2 Bias Aging에 따른 유기 박막 트랜지스터
소자 특성 분석···························38
제6장 결론············
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실험
A1, B1 을 차례로 Floating 시키면서 결과 확인
A1
B1
Vo
5
Floating
0.13
Floating
5
0.13
0
Floating
4.45
Floating
0
4.45
Floating
Floating
0.13
(Unit: V)
실험 결과에서 확인 할 수 있듯이 NAND Gate의 진리표 상 A1에 0V 이 입력된 경우B1에 0V또는 5V가 입력되어도 5V 가됨
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