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sensor for high temperature applications.
Fig. 3 Front-side circuit part of the piezoresistive
pressure sensor.
Fig. 4 Cross section of the anisotropically etched
diaphragm.
Fig. 5 Top view photomicrograph of the packaged
pressure sensor. 1. 서론
2. 고온용 압력센서의 설계
3. 고온용 압
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반도체 센서가 이를 만족할 수 잇는 대안이라는 데는 그 누구도 이의가 없다고 하겠다. 반도체(실리콘)는 저 가격화 뿐만 아니라 소형, 경량화 때문에 전혀 새로운 응용을 창출할 수 있다. 앞의 그림 3에 보는 바와 같이 반도체 압력센서는 엔
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센서들(FOES: Fiber Optic Evanescent wave Sensors)의 우주선의 민감한 표면상에 비침투적으로 추가되어 점대점 측정보다 나은 통합된 측정을 제공한다. 라이스 시스템은 다양한 오염들에 대한 확인뿐 아니라 융제(ablation)와 퇴적현상 관찰을 위한 FOES 시
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반도체의 기업동향
1. Motorola
2. Texas Instruments(TI)
3. Philips
4. STMicroelectronics
5. Qualcomm
6. Conexant(전 Rockwell)
7. RF Micro Devices
Ⅴ. 무선통신 반도체의 신소자 기술
1. 나노 신소자 기술
2. 융합반도체 기술
3. 안테나와 센서 기술
4. 유비쿼터스 R
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반도체의 재질, 전도형, 캐리어 게이지는 임의의 구조물이나 기왜체 등에 부착해서 사용할 수 있도록 접착형(벌크형)이 시판되고 있으며, 완성품으로 입력센서 이외의 수납된 형태로 사용되고 있다.
아래의 그림은 시판되는 반도체 스트레인
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