|
ide가 결합
밀도 감소량이 큼
4.6 특정염기서열과 그들의 구조적 특징
4.6.1 반복서열
Palindrome (inverted repeat)
십자형구조 (cruciform)
hairpin
stem-and-loop
direct repeat
4.6.2 좌선성 DNA 나선체
우선성 DNA 나선체
2 M 이상의 NaCl
0.1 M 이상의 MgCl2
좌선성
|
|
|
고융점의 MnS를 형성 (Mn/S≥10 관리)
- Mn, Zr, Ti, Mo등과 결합하여 피삭성을 향상
- 용접성과 단접성을 악화
o S쾌삭강
- 강에 SFMF 0.1∼0.25% 정도를 첨가
- 취성저하를 경감하기 위해 Mn을 0.4∼1.5%를 첨가하여 MnS를 형성
- 이 MnS를 분산시켜 CHIP BREAKER
|
|
|
결합해 사용
전자온도계의 센서
자동제어용 센서 등 온도감지용
냉방기나 히터의 실온제어
냉장고의 온도제어
(2) 고온형 NTC thermistor
고융점 세라믹스형임
산화지르코늄계 세라믹스의 ZrO2-Y2O3계 의 두 가지가 있음
ZrO2-CaO계
온도는 1000℃
|
|
|
silicon, α-Si)이다. 실리콘 소스 가스인 실레인(SiH4)은 산소계 소스 가스와 결합하여 silicon dioxide를 만들어 내거나 질소계 소스 가스와 결합하여 silicon nitride를 만들어 낸다.
PECVD를 이용한 실리콘 공정의 전체적인 모습은 위의 그림과 같다.
|
|
|
결합들에 의하여 나타나는 결함 때문에 발생하므로, Qit감소 때와 유사한 열처리를 통해 크게 감소 될 수 있다. 전자소자로 사용중에 X-선 같은 강한 입자에 의해 전자-정공쌍이 생성되기도 하고, 이온주입, 플라즈마 식각, 스퍼터링등과 같은
|
|
메뉴펼치기
